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조건 | New & Original, tested |
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원산지 | Contact us |
마킹 코드 | Send by email |
전압 - 테스트: | 5400pF @ 25V |
전압 - 파괴: | TO-3PN |
아이디 @ VGS (일) (최대): | 28 mOhm @ 35A, 10V |
Vgs (최대): | 10V |
과학 기술: | MOSFET (Metal Oxide) |
연속: | QFET® |
RoHS 상태: | Tube |
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대): | 70A (Tc) |
편광: | TO-3P-3, SC-65-3 |
작동 온도: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
실장 형: | Through Hole |
수분 민감도 (MSL): | 1 (Unlimited) |
제조업체 표준 리드 타임: | 12 Weeks |
제조업체 부품 번호: | FQA70N15 |
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: | 175nC @ 10V |
IGBT 유형: | ±25V |
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs: | 4V @ 250µA |
FET 특징: | N-Channel |
확장 설명: | N-Channel 150V 70A (Tc) 330W (Tc) Through Hole TO-3PN |
소스 전압에 드레인 (Vdss): | - |
기술: | MOSFET N-CH 150V 70A TO-3P |
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id): | 150V |
용량 비율: | 330W (Tc) |
Email: | [email protected] |