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状況 | New & Original, tested |
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原産国 | Contact us |
タグコード | Send by email |
同上@ VGS(TH)(最大): | 5V @ 250µA |
Vgs(最大): | ±30V |
技術: | MOSFET (Metal Oxide) |
サプライヤデバイスパッケージ: | TO-3P |
シリーズ: | QFET® |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大): | 1.9 Ohm @ 3.2A, 10V |
電力消費(最大): | 198W (Tc) |
パッケージング: | Tube |
パッケージ/ケース: | TO-3P-3, SC-65-3 |
運転温度: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
装着タイプ: | Through Hole |
水分感受性レベル(MSL): | 1 (Unlimited) |
鉛フリーステータス/ RoHSステータス: | Lead free / RoHS Compliant |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds: | 1880pF @ 25V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs: | 52nC @ 10V |
FETタイプ: | N-Channel |
FET特長: | - |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン): | 10V |
ソース電圧(VDSS)にドレイン: | 900V |
詳細な説明: | N-Channel 900V 6.4A (Tc) 198W (Tc) Through Hole TO-3P |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id): | 6.4A (Tc) |
Email: | [email protected] |