W97BH6KBQX2E è disponibile ora!La tecnologia LYNTEAM è il distributore di calza per W97BH6KBQX2E, abbiamo gli stock per la spedizione immediata e disponibili anche per un lungo periodo di rifornimento.Vi preghiamo di inviarci il tuo piano di acquisto per W97BH6KBQX2E via email, ti forniremo un prezzo migliore secondo il tuo piano.
Acquista W97BH6KBQX2E con LYNTEAM, salva i tuoi soldi e il tempo.
La nostra email: [email protected]
W97BH6KBQX2E
- Modello di prodotti:
- W97BH6KBQX2E
- fabbricante:
- Winbond Electronics Corporation
- Descrizione:
- IC DRAM 2G PARALLEL 168WFBGA
- Stato senza piombo:
- Senza piombo / RoHS conforme
- Quantità di magazzino:
- 57925 Pieces
- Tempo di consegna:
- 1-2 days
- Tempi di consegna:
- 4-8 weeks
- Scheda dati:
- W97BH6KBQX2E.pdf
introduzione
Specifiche
| Condizione | New & Original, tested |
|---|---|
| Paese d'origine | Contact us |
| Codice di marcatura | Send by email |
| Scrivere il tempo del ciclo - Word, Pagina: | 15ns |
| Tensione di alimentazione -: | 1.14 V ~ 1.95 V |
| Tecnologia: | SDRAM - Mobile LPDDR2 |
| Contenitore dispositivo fornitore: | 168-WFBGA (12x12) |
| Serie: | - |
| imballaggio: | Tray |
| Contenitore / involucro: | 168-WFBGA |
| temperatura di esercizio: | -25°C ~ 85°C (TC) |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Moisture Sensitivity Level (MSL): | 3 (168 Hours) |
| Tipo di memoria: | Volatile |
| Dimensione della memoria: | 2Gb (128M x 16) |
| Interfaccia di memoria: | Parallel |
| Formato di memoria: | DRAM |
| Stato senza piombo / Stato RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Descrizione dettagliata: | SDRAM - Mobile LPDDR2 Memory IC 2Gb (128M x 16) Parallel 400MHz 168-WFBGA (12x12) |
| Frequenza dell'orologio: | 400MHz |
| Email: | [email protected] |
Parti relative per W97BH6KBQX2E
Latest Notizie
- Il rapporto finanziario del primo trimestre del SEF Semiconductor (ST) diminuisce e la domanda di automobili ha rallentato
- Le prestazioni di Texas Instruments devono ancora essere potenziate e le due fabbriche di archiviazione spingono i nuovi prodotti di memoria flash
- Volume del chip maturo locale, capacità di produzione di memoria flash Samsung Nand vicino a carico
- Vishay lancia l'imballaggio minile ad alta luminosità a LED blu e verde puro
- Ansonmei ha lanciato un sensore di posizione induttivo per il mercato industriale e dei trasporti
- Ruisa inizia la vecchia fabbrica per aumentare il dispositivo di alimentazione, il terremoto influisce su lieve uscita DRAM
- Il microchip consente la capacità di produzione di TSMC e aumenta gli aumenti dei prezzi
- Ruisa ha lanciato la nuova serie RA0 Ultra -low Power Entry -level MCU
- Melexis lancia un chip a interruttore induttore integrato completo
- X-Fab introduce la tecnologia del sensore del sensore di immagine per migliorare le prestazioni del sensore CMOS
- La grande fabbrica di chip è stata influenzata dal terremoto: TSMC ha smesso di funzionare con urgenza, esacerbando la fornitura di GPU a breve termine?
- La memoria di Nand Flash continua, MCU Deslocking Bottom ha ragione