W97BH6KBQX2E tersedia sekarang!LYNTEAM Technology adalah distributor stocking untuk W97BH6KBQX2E, kami memiliki stok untuk pengiriman segera dan juga tersedia untuk pasokan waktu yang lama.Silakan kirim paket pembelian Anda untuk W97BH6KBQX2E melalui email, kami akan memberikan harga terbaik sesuai rencana Anda.
Beli W97BH6KBQX2E dengan LYNTEAM, hemat uang dan waktu Anda.
Email kami: [email protected]
W97BH6KBQX2E
- Nomor bagian:
- W97BH6KBQX2E
- Pabrikan:
- Winbond Electronics Corporation
- Deskripsi:
- IC DRAM 2G PARALLEL 168WFBGA
- Status Bebas Timbal:
- Memimpin bebas / RoHS Compliant
- Jumlah stok:
- 57925 Pieces
- Waktu pengiriman:
- 1-2 days
- Lead time:
- 4-8 weeks
- Lembaran data:
- W97BH6KBQX2E.pdf
pengantar
Spesifikasi
| Kondisi | New & Original, tested |
|---|---|
| Negara Asal | Contact us |
| Kode Penandaan | Send by email |
| Tulis Siklus Waktu - Kata, Halaman: | 15ns |
| Tegangan - Pasokan: | 1.14 V ~ 1.95 V |
| Teknologi: | SDRAM - Mobile LPDDR2 |
| Paket Perangkat pemasok: | 168-WFBGA (12x12) |
| Seri: | - |
| Pengemasan: | Tray |
| Paket / Case: | 168-WFBGA |
| Suhu Operasional: | -25°C ~ 85°C (TC) |
| mount Jenis: | Surface Mount |
| Moisture Sensitivity Level (MSL): | 3 (168 Hours) |
| memory Type: | Volatile |
| Ukuran memori: | 2Gb (128M x 16) |
| Antarmuka Memori: | Parallel |
| Format Memori: | DRAM |
| Status Gratis Memimpin / Status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Detil Deskripsi: | SDRAM - Mobile LPDDR2 Memory IC 2Gb (128M x 16) Parallel 400MHz 168-WFBGA (12x12) |
| Frekuensi Jam: | 400MHz |
| Email: | [email protected] |
bagian terkait untuk W97BH6KBQX2E
Latest Berita
- Moels Micro Electronics telah mendirikan kantor baru di Taiwan, Cina untuk memperluas wilayah bisnis
- Kinerja Texas Instruments masih harus didorong, dan dua pabrik penyimpanan mendorong produk memori flash baru
- Laporan keuangan kuartal pertama dari SEF Semiconductor (ST) berkurang, dan permintaan mobil telah melambat
- Kinerja Texas Instruments masih harus didorong, dan dua pabrik penyimpanan mendorong produk memori flash baru
- Volume chip matang lokal, Samsung Nand Flash Memory Production Kapasitas dekat beban
- Vishay Meluncurkan Kemasan Terganggu Kecerahan Tinggi Biru Kecil dan Hijau Murni LED
- Ansonmei meluncurkan sensor posisi induktif untuk pasar industri dan transportasi
- Ruisa memulai pabrik lama untuk meningkatkan perangkat daya, gempa mempengaruhi output dram ringan
- Microchip memungkinkan kapasitas produksi TSMC dan kenaikan harga
- Ruisa meluncurkan entri daya Ultra -Low -Level Series RA0
- Melexis meluncurkan chip sakelar induktor terintegrasi penuh
- X-FAB Memperkenalkan Teknologi Sensor Back Sensor untuk Meningkatkan Kinerja Sensor CMOS