W979H6KBVX2E TR
W979H6KBVX2E TR
Modello di prodotti:
W979H6KBVX2E TR
fabbricante:
Winbond Electronics Corporation
Descrizione:
IC DRAM 512M PARALLEL 134VFBGA
Stato senza piombo:
Senza piombo / RoHS conforme
Quantità di magazzino:
43099 Pieces
Tempo di consegna:
1-2 days
Tempi di consegna:
4-8 weeks
Scheda dati:
W979H6KBVX2E TR.pdf

introduzione

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Specifiche

Condizione New & Original, tested
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Scrivere il tempo del ciclo - Word, Pagina:15ns
Tensione di alimentazione -:1.14 V ~ 1.95 V
Tecnologia:SDRAM - Mobile LPDDR2
Contenitore dispositivo fornitore:134-VFBGA (10x11.5)
Serie:-
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:134-VFBGA
Altri nomi:W979H6KBVX2E TR-ND
W979H6KBVX2ETR
temperatura di esercizio:-25°C ~ 85°C (TC)
Tipo montaggio:Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL):3 (168 Hours)
Tipo di memoria:Volatile
Dimensione della memoria:512Mb (32M x 16)
Interfaccia di memoria:Parallel
Formato di memoria:DRAM
Stato senza piombo / Stato RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Descrizione dettagliata:SDRAM - Mobile LPDDR2 Memory IC 512Mb (32M x 16) Parallel 400MHz 134-VFBGA (10x11.5)
Frequenza dell'orologio:400MHz
Email:[email protected]

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