TRS6E65C,S1AQ
TRS6E65C,S1AQ
Modello di prodotti:
TRS6E65C,S1AQ
fabbricante:
Toshiba Semiconductor and Storage
Descrizione:
DIODE SCHOTTKY 650V 6A TO220-2L
Stato senza piombo:
Senza piombo / RoHS conforme
Quantità di magazzino:
33279 Pieces
Tempo di consegna:
1-2 days
Tempi di consegna:
4-8 weeks
Scheda dati:
TRS6E65C,S1AQ.pdf

introduzione

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Specifiche

Condizione New & Original, tested
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Tensione - Picco inversa (max):Silicon Carbide Schottky
Tensione - diretta (Vf) (max) a If:6A (DC)
Tensione - Ripartizione:TO-220-2L
Serie:-
Stato RoHS:Tube
Tempo di ripristino inverso (trr):No Recovery Time > 500mA (Io)
Resistenza a If, F:35pF @ 650V, 1MHz
Polarizzazione:TO-220-2
Altri nomi:TRS6E65C,S1AQ(S
TRS6E65C,S1Q
TRS6E65C,S1Q(S
TRS6E65CS1AQ
TRS6E65CS1AQ(S
TRS6E65CS1Q
TRS6E65CS1Q-ND
Temperatura di funzionamento - Giunzione:0ns
Tipo montaggio:Through Hole
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:12 Weeks
codice articolo del costruttore:TRS6E65C,S1AQ
Descrizione espansione:Diode Silicon Carbide Schottky 650V 6A (DC) Through Hole TO-220-2L
Configurazione diodo:90µA @ 650V
Descrizione:DIODE SCHOTTKY 650V 6A TO220-2L
Corrente - Dispersione inversa a Vr:1.7V @ 6A
Corrente - raddrizzata media (Io) (per diodo):650V
Capacità a Vr, F:175°C (Max)
Email:[email protected]

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