SIR626DP-T1-RE3
SIR626DP-T1-RE3
Modello di prodotti:
SIR626DP-T1-RE3
fabbricante:
Electro-Films (EFI) / Vishay
Descrizione:
MOSFET N-CH 60V 100A POWERPAKSO
Stato senza piombo:
Senza piombo / RoHS conforme
Quantità di magazzino:
26570 Pieces
Tempo di consegna:
1-2 days
Tempi di consegna:
4-8 weeks
Scheda dati:
SIR626DP-T1-RE3.pdf

introduzione

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Specifiche

Condizione New & Original, tested
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Codice di marcatura Send by email
Vgs (th) (max) a Id:3.4V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:PowerPAK® SO-8
Serie:TrenchFET® Gen IV
Rds On (max) a Id, Vgs:1.7 mOhm @ 20A, 10V
Dissipazione di potenza (max):104W (Tc)
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:PowerPAK® SO-8
Altri nomi:SIR626DP-T1-RE3TR
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:32 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:5130pF @ 30V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:78nC @ 7.5V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On):6V, 10V
Tensione drain-source (Vdss):60V
Descrizione dettagliata:N-Channel 60V 100A (Tc) 104W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:100A (Tc)
Email:[email protected]

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