SIR626DP-T1-RE3
SIR626DP-T1-RE3
Nomor bagian:
SIR626DP-T1-RE3
Pabrikan:
Electro-Films (EFI) / Vishay
Deskripsi:
MOSFET N-CH 60V 100A POWERPAKSO
Status Bebas Timbal:
Memimpin bebas / RoHS Compliant
Jumlah stok:
26570 Pieces
Waktu pengiriman:
1-2 days
Lead time:
4-8 weeks
Lembaran data:
SIR626DP-T1-RE3.pdf

pengantar

SIR626DP-T1-RE3 tersedia sekarang!LYNTEAM Technology adalah distributor stocking untuk SIR626DP-T1-RE3, kami memiliki stok untuk pengiriman segera dan juga tersedia untuk pasokan waktu yang lama.Silakan kirim paket pembelian Anda untuk SIR626DP-T1-RE3 melalui email, kami akan memberikan harga terbaik sesuai rencana Anda.
Beli SIR626DP-T1-RE3 dengan LYNTEAM, hemat uang dan waktu Anda.
Email kami: [email protected]

Spesifikasi

Kondisi New & Original, tested
Negara Asal Contact us
Kode Penandaan Send by email
Vgs (th) (Max) @ Id:3.4V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
Teknologi:MOSFET (Metal Oxide)
Paket Perangkat pemasok:PowerPAK® SO-8
Seri:TrenchFET® Gen IV
Rds Pada (Max) @ Id, Vgs:1.7 mOhm @ 20A, 10V
Power Disipasi (Max):104W (Tc)
Pengemasan:Tape & Reel (TR)
Paket / Case:PowerPAK® SO-8
Nama lain:SIR626DP-T1-RE3TR
Suhu Operasional:-55°C ~ 150°C (TJ)
mount Jenis:Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL):1 (Unlimited)
Manufacturer Standard Lead Time:32 Weeks
Status Gratis Memimpin / Status RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Kapasitansi Masukan (Ciss) (Max) @ VDS:5130pF @ 30V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:78nC @ 7.5V
FET Jenis:N-Channel
Fitur FET:-
Drive Voltage (Max Rds On, Min RDS Aktif):6V, 10V
Tiriskan untuk Sumber Tegangan (Vdss):60V
Detil Deskripsi:N-Channel 60V 100A (Tc) 104W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Current - Continuous Drain (Id) @ 25 ° C:100A (Tc)
Email:[email protected]

Cepat Permintaan Penawaran

Nomor bagian
Kuantitas
Perusahaan
E-mail
Telepon
Komentar