SIR626DP-T1-RE3
SIR626DP-T1-RE3
Modèle de produit:
SIR626DP-T1-RE3
Fabricant:
Electro-Films (EFI) / Vishay
La description:
MOSFET N-CH 60V 100A POWERPAKSO
Statut sans plomb:
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité en stock:
26570 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Délai de mise en œuvre:
4-8 weeks
Fiche technique:
SIR626DP-T1-RE3.pdf

introduction

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Spécifications

État New & Original, tested
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Vgs (th) (Max) @ Id:3.4V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
La technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur:PowerPAK® SO-8
Séries:TrenchFET® Gen IV
Rds On (Max) @ Id, Vgs:1.7 mOhm @ 20A, 10V
Dissipation de puissance (max):104W (Tc)
Emballage:Tape & Reel (TR)
Package / Boîte:PowerPAK® SO-8
Autres noms:SIR626DP-T1-RE3TR
Température de fonctionnement:-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant:32 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds:5130pF @ 30V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs:78nC @ 7.5V
type de FET:N-Channel
Fonction FET:-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé):6V, 10V
Tension drain-source (Vdss):60V
Description détaillée:N-Channel 60V 100A (Tc) 104W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C:100A (Tc)
Email:[email protected]

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