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IXFN360N15T2
- Modello di prodotti:
- IXFN360N15T2
- fabbricante:
- IXYS Corporation
- Descrizione:
- MOSFET N-CH 150V 310A SOT227
- Stato senza piombo:
- Senza piombo / RoHS conforme
- Quantità di magazzino:
- 24852 Pieces
- Tempo di consegna:
- 1-2 days
- Tempi di consegna:
- 4-8 weeks
- Scheda dati:
- IXFN360N15T2.pdf
introduzione
Specifiche
| Condizione | New & Original, tested |
|---|---|
| Paese d'origine | Contact us |
| Codice di marcatura | Send by email |
| Vgs (th) (max) a Id: | 5V @ 8mA |
| Vgs (Max): | ±20V |
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | SOT-227B |
| Serie: | GigaMOS™ |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 4 mOhm @ 60A, 10V |
| Dissipazione di potenza (max): | 1070W (Tc) |
| imballaggio: | Tube |
| Contenitore / involucro: | SOT-227-4, miniBLOC |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Chassis Mount |
| Moisture Sensitivity Level (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard: | 24 Weeks |
| Stato senza piombo / Stato RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 47500pF @ 25V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 715nC @ 10V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Caratteristica FET: | - |
| Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On): | 10V |
| Tensione drain-source (Vdss): | 150V |
| Descrizione dettagliata: | N-Channel 150V 310A (Tc) 1070W (Tc) Chassis Mount SOT-227B |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 310A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
Parti relative per IXFN360N15T2
| Immagine | Modello di prodotti | Produttori | Descrizione | vista |
|---|---|---|---|---|
 |
IXFN39N90 | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 900V 39A SOT-227B | Inchiesta |
|
IXFN38N100P | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 1000V 38A SOT-227B | Inchiesta |
|
IXFN32N80P | IXYS | MOSFET N-CH 800V 29A SOT-227B | Inchiesta |
|
IXFN36N100 | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 1KV 36A SOT-227B | Inchiesta |
|
IXFN32N120P | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 1200V 32A SOT-227B | Inchiesta |
|
IXFN400N15X3 | IXYS Corporation | MOSFET N-CH | Inchiesta |
|
IXFN40N110Q3 | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 1100V 35A SOT-227B | Inchiesta |
|
IXFN32N100Q3 | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 1000V 28A SOT-227 | Inchiesta |
|
IXFN40N110P | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 1100V 34A SOT-227B | Inchiesta |
|
IXFN38N100Q2 | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 1000V 38A SOT-227 | Inchiesta |
|
IXFN32N60 | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 600V 32A SOT-227 | Inchiesta |
|
IXFN340N06 | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 60V 340A SOT-227B | Inchiesta |
|
IXFN340N07 | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 70V 340A SOT-227B | Inchiesta |
|
IXFN34N80 | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 800V 34A SOT-227B | Inchiesta |
|
IXFN360N10T | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 100V 360A SOT-227B | Inchiesta |
|
IXFN34N100 | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 1000V 34A SOT-227B | Inchiesta |
|
IXFN32N100P | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 1000V 27A SOT-227B | Inchiesta |
|
IXFN36N110P | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 1100V 36A SOT-227B | Inchiesta |
|
IXFN36N60 | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 600V 36A SOT-227B | Inchiesta |
|
IXFN38N80Q2 | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 800V 38A SOT-227 | Inchiesta |
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