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IXFN32N120P
- Modello di prodotti:
- IXFN32N120P
- fabbricante:
- IXYS Corporation
- Descrizione:
- MOSFET N-CH 1200V 32A SOT-227B
- Stato senza piombo:
- Senza piombo / RoHS conforme
- Quantità di magazzino:
- 50255 Pieces
- Tempo di consegna:
- 1-2 days
- Tempi di consegna:
- 4-8 weeks
- Scheda dati:
- IXFN32N120P.pdf
introduzione
Specifiche
| Condizione | New & Original, tested |
|---|---|
| Paese d'origine | Contact us |
| Codice di marcatura | Send by email |
| Vgs (th) (max) a Id: | 6.5V @ 1mA |
| Vgs (Max): | ±30V |
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | SOT-227B |
| Serie: | Polar™ |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 310 mOhm @ 500mA, 10V |
| Dissipazione di potenza (max): | 1000W (Tc) |
| imballaggio: | Tube |
| Contenitore / involucro: | SOT-227-4, miniBLOC |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Chassis Mount |
| Moisture Sensitivity Level (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard: | 24 Weeks |
| Stato senza piombo / Stato RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 21000pF @ 25V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 360nC @ 10V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Caratteristica FET: | - |
| Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On): | 10V |
| Tensione drain-source (Vdss): | 1200V |
| Descrizione dettagliata: | N-Channel 1200V 32A (Tc) 1000W (Tc) Chassis Mount SOT-227B |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 32A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
Parti relative per IXFN32N120P
| Immagine | Modello di prodotti | Produttori | Descrizione | vista |
|---|---|---|---|---|
 |
IXFN34N80 | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 800V 34A SOT-227B | Inchiesta |
|
IXFN300N20X3 | IXYS Corporation | 200V/300A ULTRA JUNCTION X3-CLAS | Inchiesta |
|
IXFN36N110P | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 1100V 36A SOT-227B | Inchiesta |
|
IXFN32N80P | IXYS | MOSFET N-CH 800V 29A SOT-227B | Inchiesta |
|
IXFN30N110P | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 1100V 25A SOT-227B | Inchiesta |
|
IXFN360N15T2 | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 150V 310A SOT227 | Inchiesta |
|
IXFN340N06 | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 60V 340A SOT-227B | Inchiesta |
|
IXFN32N100Q3 | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 1000V 28A SOT-227 | Inchiesta |
|
IXFN27N80Q | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 800V 27A SOT-227B | Inchiesta |
|
IXFN320N17T2 | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 170V 260A SOT227 | Inchiesta |
|
IXFN36N100 | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 1KV 36A SOT-227B | Inchiesta |
|
IXFN280N085 | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 85V 280A SOT-227B | Inchiesta |
|
IXFN360N10T | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 100V 360A SOT-227B | Inchiesta |
|
IXFN34N100 | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 1000V 34A SOT-227B | Inchiesta |
|
IXFN340N07 | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 70V 340A SOT-227B | Inchiesta |
|
IXFN32N60 | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 600V 32A SOT-227 | Inchiesta |
|
IXFN30N120P | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 1200V 30A SOT-227B | Inchiesta |
|
IXFN32N100P | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 1000V 27A SOT-227B | Inchiesta |
|
IXFN300N10P | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 100V 295A SOT-227 | Inchiesta |
|
IXFN280N07 | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 70V 280A SOT-227B | Inchiesta |
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