Italia
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Hrvatska Ελλάδα✕
Su di noi | Contatto | Richiedi un preventivo |
Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-FET, MOSFET-singolo > IXFN360N10T
IXFN360N10T
IXFN360N10T
Modello di prodotti:
IXFN360N10T
fabbricante:
IXYS Corporation
Descrizione:
MOSFET N-CH 100V 360A SOT-227B
Stato senza piombo:
Senza piombo / RoHS conforme
Quantità di magazzino:
37388 Pieces
Tempo di consegna:
1-2 days
Tempi di consegna:
4-8 weeks
Scheda dati:
IXFN360N10T.pdf
Inchiesta

introduzione

IXFN360N10T è disponibile ora!La tecnologia LYNTEAM è il distributore di calza per IXFN360N10T, abbiamo gli stock per la spedizione immediata e disponibili anche per un lungo periodo di rifornimento.Vi preghiamo di inviarci il tuo piano di acquisto per IXFN360N10T via email, ti forniremo un prezzo migliore secondo il tuo piano.
Acquista IXFN360N10T con LYNTEAM, salva i tuoi soldi e il tempo.
La nostra email: [email protected]

Specifiche

Condizione New & Original, tested
Paese d'origine Contact us
Codice di marcatura Send by email
Vgs (th) (max) a Id:4.5V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:SOT-227B
Serie:HiPerFET™
Rds On (max) a Id, Vgs:2.6 mOhm @ 180A, 10V
Dissipazione di potenza (max):830W (Tc)
imballaggio:Tube
Contenitore / involucro:SOT-227-4, miniBLOC
temperatura di esercizio:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo montaggio:Chassis Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:24 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:36000pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:505nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On):10V
Tensione drain-source (Vdss):100V
Descrizione dettagliata:N-Channel 100V 360A (Tc) 830W (Tc) Chassis Mount SOT-227B
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:360A (Tc)
Email:[email protected]

Richiesta rapida citazione

Modello di prodotti
Quantità
Azienda
E-mail
Numero di telefono
Note / Commenti

Parti relative per IXFN360N10T

Immagine Modello di prodotti Produttori Descrizione vista
IXFN32N120P Image IXFN32N120P IXYS Corporation MOSFET N-CH 1200V 32A SOT-227B Inchiesta
IXFN40N110P Image IXFN40N110P IXYS Corporation MOSFET N-CH 1100V 34A SOT-227B Inchiesta
IXFN32N100Q3 Image IXFN32N100Q3 IXYS Corporation MOSFET N-CH 1000V 28A SOT-227 Inchiesta
IXFN39N90 Image IXFN39N90 IXYS Corporation MOSFET N-CH 900V 39A SOT-227B Inchiesta
IXFN36N100 Image IXFN36N100 IXYS Corporation MOSFET N-CH 1KV 36A SOT-227B Inchiesta
IXFN32N100P Image IXFN32N100P IXYS Corporation MOSFET N-CH 1000V 27A SOT-227B Inchiesta
IXFN38N80Q2 Image IXFN38N80Q2 IXYS Corporation MOSFET N-CH 800V 38A SOT-227 Inchiesta
IXFN360N15T2 Image IXFN360N15T2 IXYS Corporation MOSFET N-CH 150V 310A SOT227 Inchiesta
IXFN38N100P Image IXFN38N100P IXYS Corporation MOSFET N-CH 1000V 38A SOT-227B Inchiesta
IXFN38N100Q2 Image IXFN38N100Q2 IXYS Corporation MOSFET N-CH 1000V 38A SOT-227 Inchiesta
IXFN36N60 Image IXFN36N60 IXYS Corporation MOSFET N-CH 600V 36A SOT-227B Inchiesta
IXFN32N60 Image IXFN32N60 IXYS Corporation MOSFET N-CH 600V 32A SOT-227 Inchiesta
IXFN36N110P Image IXFN36N110P IXYS Corporation MOSFET N-CH 1100V 36A SOT-227B Inchiesta
IXFN340N06 Image IXFN340N06 IXYS Corporation MOSFET N-CH 60V 340A SOT-227B Inchiesta
IXFN320N17T2 Image IXFN320N17T2 IXYS Corporation MOSFET N-CH 170V 260A SOT227 Inchiesta
IXFN340N07 Image IXFN340N07 IXYS Corporation MOSFET N-CH 70V 340A SOT-227B Inchiesta
IXFN34N80 Image IXFN34N80 IXYS Corporation MOSFET N-CH 800V 34A SOT-227B Inchiesta
IXFN32N80P Image IXFN32N80P IXYS MOSFET N-CH 800V 29A SOT-227B Inchiesta
IXFN400N15X3 Image IXFN400N15X3 IXYS Corporation MOSFET N-CH Inchiesta
IXFN34N100 Image IXFN34N100 IXYS Corporation MOSFET N-CH 1000V 34A SOT-227B Inchiesta

Latest Notizie