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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-FET, MOSFET-matrici > EPC2105ENG
EPC2105ENG
EPC2105ENG
Modello di prodotti:
EPC2105ENG
fabbricante:
EPC
Descrizione:
TRANS GAN 2N-CH 80V BUMPED DIE
Stato senza piombo:
Senza piombo / RoHS conforme
Quantità di magazzino:
31642 Pieces
Tempo di consegna:
1-2 days
Tempi di consegna:
4-8 weeks
Scheda dati:
EPC2105ENG.pdf
Inchiesta

introduzione

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Specifiche

Condizione New & Original, tested
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Vgs (th) (max) a Id:2.5V @ 2.5mA
Contenitore dispositivo fornitore:Die
Serie:eGaN®
Rds On (max) a Id, Vgs:14.5 mOhm @ 20A, 5V
Potenza - Max:-
imballaggio:Bulk
Contenitore / involucro:Die
Altri nomi:EPC2105ENGR
917-EPC2105ENG
EPC2105ENGR
EPC2105ENGRH4
temperatura di esercizio:-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL):1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:300pF @ 40V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:2.5nC @ 5V
Tipo FET:2 N-Channel (Half Bridge)
Caratteristica FET:GaNFET (Gallium Nitride)
Tensione drain-source (Vdss):80V
Descrizione dettagliata:Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 80V 9.5A, 38A Surface Mount Die
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:9.5A, 38A
Email:[email protected]

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Immagine Modello di prodotti Produttori Descrizione vista
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