EPC2103ENGRT è disponibile ora!La tecnologia LYNTEAM è il distributore di calza per EPC2103ENGRT, abbiamo gli stock per la spedizione immediata e disponibili anche per un lungo periodo di rifornimento.Vi preghiamo di inviarci il tuo piano di acquisto per EPC2103ENGRT via email, ti forniremo un prezzo migliore secondo il tuo piano.
Acquista EPC2103ENGRT con LYNTEAM, salva i tuoi soldi e il tempo.
La nostra email: [email protected]
EPC2103ENGRT
- Modello di prodotti:
- EPC2103ENGRT
- fabbricante:
- EPC
- Descrizione:
- TRANS GAN SYM HALF BRDG 80V
- Stato senza piombo:
- Senza piombo / RoHS conforme
- Quantità di magazzino:
- 43487 Pieces
- Tempo di consegna:
- 1-2 days
- Tempi di consegna:
- 4-8 weeks
- Scheda dati:
- EPC2103ENGRT.pdf
introduzione
Specifiche
| Condizione | New & Original, tested |
|---|---|
| Paese d'origine | Contact us |
| Codice di marcatura | Send by email |
| Vgs (th) (max) a Id: | 2.5V @ 7mA |
| Contenitore dispositivo fornitore: | Die |
| Serie: | eGaN® |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 5.5 mOhm @ 20A, 5V |
| Potenza - Max: | - |
| imballaggio: | Cut Tape (CT) |
| Contenitore / involucro: | Die |
| Altri nomi: | 917-1146-1 917-1146-1-ND 917-EPC2103ENGRCT |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Moisture Sensitivity Level (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard: | 16 Weeks |
| Stato senza piombo / Stato RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 7600pF @ 40V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 6.5nC @ 5V |
| Tipo FET: | 2 N-Channel (Half Bridge) |
| Caratteristica FET: | GaNFET (Gallium Nitride) |
| Tensione drain-source (Vdss): | 80V |
| Descrizione dettagliata: | Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 80V 23A Surface Mount Die |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 23A |
| Email: | [email protected] |
Parti relative per EPC2103ENGRT
| Immagine | Modello di prodotti | Produttori | Descrizione | vista |
|---|---|---|---|---|
 |
EPC2101ENGRT | EPC | TRANS GAN ASYMMETRICAL HALF BRID | Inchiesta |
 |
EPC2107 | EPC | MOSFET 3 N-CH 100V 9BGA | Inchiesta |
|
EPC2101ENG | EPC | TRANS GAN 2N-CH 60V BUMPED DIE | Inchiesta |
 |
EPC2103 | EPC | TRANS GAN SYMMETRICAL HALF BRIDG | Inchiesta |
|
EPC2100ENGRT | EPC | MOSFET 2 N-CH 30V 9.5A/38A DIE | Inchiesta |
|
EPC2104ENGRT | EPC | MOSFET 2NCH 100V 23A DIE | Inchiesta |
|
EPC2107ENGRT | EPC | TRANS GAN 3N-CH 100V BUMPED DIE | Inchiesta |
 |
EPC2106 | EPC | TRANS GAN SYM 100V BUMPED DIE | Inchiesta |
|
EPC2102 | EPC | TRANS GAN SYMMETRICAL HALF BRIDG | Inchiesta |
|
EPC2105 | EPC | TRANS GAN ASYMMETRICAL HALF BRID | Inchiesta |
|
EPC2106ENGRT | EPC | TRANS GAN 2N-CH 100V BUMPED DIE | Inchiesta |
|
EPC2103ENG | EPC | TRANS GAN 2N-CH 80V BUMPED DIE | Inchiesta |
|
EPC2105ENG | EPC | TRANS GAN 2N-CH 80V BUMPED DIE | Inchiesta |
|
EPC2101 | EPC | TRANS GAN ASYMMETRICAL HALF BRID | Inchiesta |
|
EPC2100ENG | EPC | TRANS GAN 2N-CH 30V BUMPED DIE | Inchiesta |
|
EPC2104 | EPC | TRANS GAN SYMMETRICAL HALF BRIDG | Inchiesta |
|
EPC2102ENG | EPC | TRANS GAN 2N-CH 60V BUMPED DIE | Inchiesta |
|
EPC2104ENG | EPC | TRANS GAN 2N-CH 100V BUMPED DIE | Inchiesta |
|
EPC2102ENGRT | EPC | MOSFET 2 N-CHANNEL 60V 23A DIE | Inchiesta |
|
EPC2105ENGRT | EPC | MOSFET 2NCH 80V 9.5A DIE | Inchiesta |
Latest Notizie
- Comprendere le esigenze degli ADA e dei sistemi di monitoraggio della cabina per i sensori di immagine di sicurezza della rete
- Si dice che Samsung e SK Hynix abbiano fermato DDR3 e la citazione di promozione è aumentata del 20 %
- Melexis rilasciata MLX90427: controllo della linea a nuova scelta, sicuro, efficiente ed economico
- La relazione finanziaria di NXP e Ansonmei ha annunciato e il prezzo dei prezzi del rame viene trasmesso all'industria IC
- Moels Micro Electronics ha creato nuovi uffici a Taiwan, in Cina per espandere il territorio degli affari
- Le prestazioni di Texas Instruments devono ancora essere potenziate e le due fabbriche di archiviazione spingono i nuovi prodotti di memoria flash
- Il rapporto finanziario del primo trimestre del SEF Semiconductor (ST) diminuisce e la domanda di automobili ha rallentato
- Le prestazioni di Texas Instruments devono ancora essere potenziate e le due fabbriche di archiviazione spingono i nuovi prodotti di memoria flash
- Volume del chip maturo locale, capacità di produzione di memoria flash Samsung Nand vicino a carico
- Vishay lancia l'imballaggio minile ad alta luminosità a LED blu e verde puro
- Ansonmei ha lanciato un sensore di posizione induttivo per il mercato industriale e dei trasporti
- Ruisa inizia la vecchia fabbrica per aumentare il dispositivo di alimentazione, il terremoto influisce su lieve uscita DRAM