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EPC2100ENG
- Modello di prodotti:
- EPC2100ENG
- fabbricante:
- EPC
- Descrizione:
- TRANS GAN 2N-CH 30V BUMPED DIE
- Stato senza piombo:
- Senza piombo / RoHS conforme
- Quantità di magazzino:
- 36445 Pieces
- Tempo di consegna:
- 1-2 days
- Tempi di consegna:
- 4-8 weeks
- Scheda dati:
- EPC2100ENG.pdf
introduzione
Specifiche
| Condizione | New & Original, tested |
|---|---|
| Paese d'origine | Contact us |
| Codice di marcatura | Send by email |
| Vgs (th) (max) a Id: | 2.5V @ 4mA, 2.5V @ 16mA |
| Contenitore dispositivo fornitore: | Die |
| Serie: | eGaN® |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 8.2 mOhm @ 25A, 5V, 2.1 mOhm @ 25A, 5V |
| Potenza - Max: | - |
| imballaggio: | Tray |
| Contenitore / involucro: | Die |
| Altri nomi: | 917-EPC2100ENG EPC2100ENGR_H1 EPC2100ENGRH1 |
| temperatura di esercizio: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Moisture Sensitivity Level (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Stato senza piombo / Stato RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 475pF @ 15V, 1960pF @ 15V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 4.9nC @ 15V, 19nC @ 15V |
| Tipo FET: | 2 N-Channel (Half Bridge) |
| Caratteristica FET: | GaNFET (Gallium Nitride) |
| Tensione drain-source (Vdss): | 30V |
| Descrizione dettagliata: | Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 30V 10A (Ta), 40A (Ta) Surface Mount Die |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 10A (Ta), 40A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
Parti relative per EPC2100ENG
| Immagine | Modello di prodotti | Produttori | Descrizione | vista |
|---|---|---|---|---|
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EPC2047ENGRT | EPC | TRANS GAN 200V BUMPED DIE | Inchiesta |
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EPC2102ENG | EPC | TRANS GAN 2N-CH 60V BUMPED DIE | Inchiesta |
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EPC2103ENGRT | EPC | TRANS GAN SYM HALF BRDG 80V | Inchiesta |
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EPC2103ENG | EPC | TRANS GAN 2N-CH 80V BUMPED DIE | Inchiesta |
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EPC2049ENGRT | EPC | TRANS GAN 40V BUMPED DIE | Inchiesta |
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EPC2040 | EPC | MOSFET NCH 15V 3.4A DIE | Inchiesta |
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EPC2102 | EPC | TRANS GAN SYMMETRICAL HALF BRIDG | Inchiesta |
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EPC2040ENGRT | EPC | TRANS GAN 15V BUMPED DIE | Inchiesta |
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EPC2100ENGRT | EPC | MOSFET 2 N-CH 30V 9.5A/38A DIE | Inchiesta |
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EPC2100 | EPC | TRANS GAN ASYMMETRICAL HALF BRID | Inchiesta |
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EPC2040ENGR | EPC | TRANS GAN 25V BUMPED DIE | Inchiesta |
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EPC2045ENGRT | EPC | TRANS GAN 100V BUMPED DIE | Inchiesta |
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EPC2046ENGRT | EPC | TRANS GAN 200V BUMPED DIE | Inchiesta |
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EPC2050ENGRT | EPC | TRANS GAN 350V BUMPED DIE | Inchiesta |
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EPC2102ENGRT | EPC | MOSFET 2 N-CHANNEL 60V 23A DIE | Inchiesta |
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EPC2101ENG | EPC | TRANS GAN 2N-CH 60V BUMPED DIE | Inchiesta |
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EPC2051ENGRT | EPC | TRANS GAN 100V DIE CU PILLAR | Inchiesta |
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EPC2101 | EPC | TRANS GAN ASYMMETRICAL HALF BRID | Inchiesta |
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EPC2101ENGRT | EPC | TRANS GAN ASYMMETRICAL HALF BRID | Inchiesta |
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