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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-FET, MOSFET-matrici > EPC2110ENGRT
EPC2110ENGRT
EPC2110ENGRT
Modello di prodotti:
EPC2110ENGRT
fabbricante:
EPC
Descrizione:
TRANS GAN 2N-CH 120V BUMPED DIE
Stato senza piombo:
Senza piombo / RoHS conforme
Quantità di magazzino:
41962 Pieces
Tempo di consegna:
1-2 days
Tempi di consegna:
4-8 weeks
Scheda dati:
EPC2110ENGRT.pdf
Inchiesta

introduzione

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Specifiche

Condizione New & Original, tested
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Codice di marcatura Send by email
Vgs (th) (max) a Id:2.5V @ 700µA
Contenitore dispositivo fornitore:Die
Serie:eGaN®
Rds On (max) a Id, Vgs:60 mOhm @ 4A, 5V
Potenza - Max:-
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:Die
Altri nomi:917-EPC2110ENGRTR
EPC2110ENGR
temperatura di esercizio:-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:16 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:80pF @ 60V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:0.8nC @ 5V
Tipo FET:2 N-Channel (Dual) Common Source
Caratteristica FET:GaNFET (Gallium Nitride)
Tensione drain-source (Vdss):120V
Descrizione dettagliata:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Common Source 120V 3.4A Surface Mount Die
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:3.4A
Email:[email protected]

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Immagine Modello di prodotti Produttori Descrizione vista
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