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BSM180D12P3C007
- Modello di prodotti:
- BSM180D12P3C007
- fabbricante:
- LAPIS Semiconductor
- Descrizione:
- SIC POWER MODULE
- Stato senza piombo:
- Senza piombo / RoHS conforme
- Quantità di magazzino:
- 53148 Pieces
- Tempo di consegna:
- 1-2 days
- Tempi di consegna:
- 4-8 weeks
- Scheda dati:
- 1.BSM180D12P3C007.pdf2.BSM180D12P3C007.pdf
introduzione
Specifiche
| Condizione | New & Original, tested |
|---|---|
| Paese d'origine | Contact us |
| Codice di marcatura | Send by email |
| Vgs (th) (max) a Id: | 5.6V @ 50mA |
| Contenitore dispositivo fornitore: | Module |
| Serie: | - |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | - |
| Potenza - Max: | 880W |
| imballaggio: | Bulk |
| Contenitore / involucro: | Module |
| Altri nomi: | Q9597863 |
| temperatura di esercizio: | 175°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Moisture Sensitivity Level (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard: | 32 Weeks |
| Stato senza piombo / Stato RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 900pF @ 10V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | - |
| Tipo FET: | 2 N-Channel (Dual) |
| Caratteristica FET: | Silicon Carbide (SiC) |
| Tensione drain-source (Vdss): | 1200V (1.2kV) |
| Descrizione dettagliata: | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 1200V (1.2kV) 180A (Tc) 880W Surface Mount Module |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 180A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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