BSM180D12P3C007 je nyní k dispozici!Technologie LYNTEAM je distributorem skladování pro BSM180D12P3C007, máme akcie pro okamžitou dopravu a také k dispozici pro dlouhodobé dodávky.Prosím, pošlete nám svůj kupní plán pro BSM180D12P3C007 e-mailem, dáme vám nejlepší cenu podle vašeho plánu.
Kupte si BSM180D12P3C007 s LYNTEAM, uložte své peníze a čas.
Náš email: [email protected]
BSM180D12P3C007
- Part Number:
- BSM180D12P3C007
- Výrobce:
- LAPIS Semiconductor
- Popis:
- SIC POWER MODULE
- Vedoucí volný stav:
- Bez olova / V souladu RoHS
- Množství zásob:
- 53148 Pieces
- Čas doručení:
- 1-2 days
- Dodací lhůta:
- 4-8 weeks
- Datový list:
- 1.BSM180D12P3C007.pdf2.BSM180D12P3C007.pdf
Úvod
Specifikace
| Stav | New & Original, tested |
|---|---|
| Země původu | Contact us |
| Označovací kód | Send by email |
| Vgs (th) (max) 'Id: | 5.6V @ 50mA |
| Dodavatel zařízení Package: | Module |
| Série: | - |
| RDS On (Max) @ Id, Vgs: | - |
| Power - Max: | 880W |
| Obal: | Bulk |
| Paket / krabice: | Module |
| Ostatní jména: | Q9597863 |
| Provozní teplota: | 175°C (TJ) |
| Typ montáže: | Surface Mount |
| Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Výrobní standardní doba výroby: | 32 Weeks |
| Stav volného vedení / RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds: | 900pF @ 10V |
| Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs: | - |
| Typ FET: | 2 N-Channel (Dual) |
| FET Feature: | Silicon Carbide (SiC) |
| Drain na zdroj napětí (Vdss): | 1200V (1.2kV) |
| Detailní popis: | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 1200V (1.2kV) 180A (Tc) 880W Surface Mount Module |
| Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C: | 180A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
Související díly pro BSM180D12P3C007
Latest News
- Micron's Plán vybudovat továrnu, Nand Flash paměť za vysoké ceny nebo údržbu
- Výkon ADI je snížen, vzrostly substráty měděné fólie, skladování původní výroby továrny Konzervativní
- Vlna inteligence v autě přichází a Aimus Oslang pomohl Sagita Juguang uvolnit MX Lidar
- Výrobní kapacita HBM je vyloučena, paměť DRAM může být v druhé polovině roku nedostatečná
- Zakladatelé zdi skončí, HBM nebo způsobí, že se opět zvýší DRAM
- Poptávka po mobilním telefonu a expanzi PC, globální polovodičové výroby průmyslu
- Pochopte potřeby systémů monitorování ADAS a kabiny pro obrazové senzory zabezpečení sítě
- Říká se, že Samsung a SK Hynix zastavili DDR3 a propagační nabídka vzrostla o 20 %
- Melexis vydala MLX90427: Ovládání linky k novému výběru, bezpečné, efektivní a ekonomické
- Finanční zpráva NXP a ANSONMEI byla oznámena a cena cen mědi je přenášena do průmyslu IC
- Moels Micro Electronics zřídila nové kanceláře na Tchaj -wanu v Číně, aby rozšířila obchodní území
- Výkon texaských nástrojů je třeba ještě posílit a dvě úložné továrny tlačí nové produkty Flash Memory