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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-FET, MOSFET-RF > BLF8G10LS-160,112
BLF8G10LS-160,112
BLF8G10LS-160,112
Modello di prodotti:
BLF8G10LS-160,112
fabbricante:
Ampleon
Descrizione:
RF FET LDMOS 65V 19.7DB SOT502B
Stato senza piombo:
Senza piombo / RoHS conforme
Quantità di magazzino:
56911 Pieces
Tempo di consegna:
1-2 days
Tempi di consegna:
4-8 weeks
Scheda dati:
BLF8G10LS-160,112.pdf
Inchiesta

introduzione

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Specifiche

Condizione New & Original, tested
Paese d'origine Contact us
Codice di marcatura Send by email
Tensione - Prova:30V
Tensione - nominale:65V
Tipo transistor:LDMOS
Contenitore dispositivo fornitore:SOT502B
Serie:-
Alimentazione - uscita:35W
imballaggio:Tube
Contenitore / involucro:SOT-502B
Altri nomi:934065908112
BLF8G10LS-160112
Figura di rumore:-
Moisture Sensitivity Level (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:13 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Guadagno:19.7dB
Frequenza:920MHz ~ 960MHz
Descrizione dettagliata:RF Mosfet LDMOS 30V 1.1A 920MHz ~ 960MHz 19.7dB 35W SOT502B
Valutazione attuale:-
Corrente - Test:1.1A
Numero di parte base:BLF8G10
Email:[email protected]

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Immagine Modello di prodotti Produttori Descrizione vista
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BLF8G10LS-270,112 Image BLF8G10LS-270,112 Ampleon RF FET LDMOS 65V 18.5DB SOT502B Inchiesta
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