Ελλάδα
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Hrvatska Ελλάδα✕
Σχετικά με εμάς | Επικοινωνήστε μαζί μας | Ζητήστε προσφορά |
Σπίτι > Προϊόντα > Προϊόντα διακριτών ημιαγωγών > Τρανζίστορ - τρανζίστορ, MOSFETs - RF > BLF8G10LS-160,112
BLF8G10LS-160,112
BLF8G10LS-160,112
Αριθμός εξαρτήματος:
BLF8G10LS-160,112
Κατασκευαστής:
Ampleon
Περιγραφή:
RF FET LDMOS 65V 19.7DB SOT502B
Επικεφαλής ελεύθερη κατάσταση:
Ο μόλυβδος ελεύθερος / συμβατός με RoHS
Ποσότητα αποθέματος:
56911 Pieces
Ωρα παράδοσης:
1-2 days
Χρόνος παράδοσης:
4-8 weeks
Φύλλο δεδομένων:
BLF8G10LS-160,112.pdf
Έρευνα

Εισαγωγή

Το BLF8G10LS-160,112 είναι διαθέσιμο τώρα!Η τεχνολογία LYNTEAM είναι ο διανομέας αποθέματος για την BLF8G10LS-160,112, έχουμε τα αποθέματα για άμεση αποστολή και επίσης διαθέσιμο για μεγάλο χρονικό διάστημα.Στείλτε μας το σχέδιο αγοράς σας για το BLF8G10LS-160,112 μέσω ηλεκτρονικού ταχυδρομείου, θα σας δώσουμε μια καλύτερη τιμή σύμφωνα με το σχέδιό σας.
Αγοράστε BLF8G10LS-160,112 με LYNTEAM, αποθηκεύστε τα χρήματά σας και το χρόνο σας.
Το email μας: [email protected]

ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ

Κατάσταση New & Original, tested
Χώρα προέλευσης Contact us
Κώδικας σήμανσης Send by email
Τάσης - Test:30V
Τάση - Ονομαστική:65V
transistor Τύπος:LDMOS
Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή:SOT502B
Σειρά:-
Ισχύς - εξόδου:35W
Συσκευασία:Tube
Συσκευασία / υπόθεση:SOT-502B
Αλλα ονόματα:934065908112
BLF8G10LS-160112
Θόρυβος Εικόνα:-
Επίπεδο Ευαισθησίας Υγρασίας (MSL):1 (Unlimited)
Κατασκευαστής Standard Lead Time:13 Weeks
Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Κέρδος:19.7dB
Συχνότητα:920MHz ~ 960MHz
Λεπτομερής περιγραφή:RF Mosfet LDMOS 30V 1.1A 920MHz ~ 960MHz 19.7dB 35W SOT502B
τρέχουσα Αξιολόγηση:-
Τρέχουσες - Test:1.1A
Αριθμός μέρους βάσης:BLF8G10
Email:[email protected]

Γρήγορη Παράθεση Αίτηση

Αριθμός εξαρτήματος
Ποσότητα
Εταιρία
ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ ΔΙΕΥΘΥΝΣΗ
Τηλέφωνο
Σχόλια

Συναφών ανταλλακτικών για BLF8G10LS-160,112

Εικόνα Αριθμός εξαρτήματος Κατασκευαστές Περιγραφή Θέα
BLF8G09LS-270WJ Image BLF8G09LS-270WJ Ampleon RF FET LDMOS 65V 20DB SOT1244B Έρευνα
BLF8G09LS-400PGWJ Image BLF8G09LS-400PGWJ Ampleon RF FET LDMOS 65V 20.6DB SOT1242C Έρευνα
BLF8G10LS-300PU Image BLF8G10LS-300PU Ampleon RF FET LDMOS 65V 20.5DB SOT539B Έρευνα
BLF8G19LS-170BV,11 Image BLF8G19LS-170BV,11 Ampleon RF FET LDMOS 65V 18DB SOT1120B Έρευνα
BLF8G09LS-400PWJ Image BLF8G09LS-400PWJ Ampleon RF FET LDMOS 65V 20.6DB SOT1242B Έρευνα
BLF8G10LS-270V,118 Image BLF8G10LS-270V,118 Ampleon RF FET LDMOS 65V 19.5DB SOT1244B Έρευνα
BLF8G10LS-270V,112 Image BLF8G10LS-270V,112 Ampleon RF FET LDMOS 65V 19.5DB SOT1244B Έρευνα
BLF8G10LS-270GVJ Image BLF8G10LS-270GVJ Ampleon RF FET LDMOS 65V 19.5DB SOT1244C Έρευνα
BLF8G10LS-300PJ Image BLF8G10LS-300PJ Ampleon RF FET LDMOS 65V 20.5DB SOT539B Έρευνα
BLF8G09LS-270WU Image BLF8G09LS-270WU Ampleon RF FET LDMOS 65V 20DB SOT1244B Έρευνα
BLF8G09LS-400PWU Image BLF8G09LS-400PWU Ampleon RF FET LDMOS 65V 20.6DB SOT1242B Έρευνα
BLF8G09LS-270GWJ Image BLF8G09LS-270GWJ Ampleon RF FET LDMOS 65V 20DB SOT1244C Έρευνα
BLF8G10LS-270,112 Image BLF8G10LS-270,112 Ampleon RF FET LDMOS 65V 18.5DB SOT502B Έρευνα
BLF8G10LS-270,118 Image BLF8G10LS-270,118 Ampleon RF FET LDMOS 65V 18.5DB SOT502B Έρευνα
BLF8G10L-160,118 Image BLF8G10L-160,118 Ampleon RF FET LDMOS 65V 19.7DB SOT502A Έρευνα
BLF8G09LS-400PGWQ Image BLF8G09LS-400PGWQ Ampleon RF FET LDMOS 65V 20.6DB SOT1242C Έρευνα
BLF8G09LS-270GWQ Image BLF8G09LS-270GWQ Ampleon RF FET LDMOS 65V 20DB SOT1244C Έρευνα
BLF8G10LS-270GV,12 Image BLF8G10LS-270GV,12 Ampleon RF FET LDMOS 65V 19.5DB SOT1244C Έρευνα
BLF8G10L-160,112 Image BLF8G10L-160,112 Ampleon RF FET LDMOS 65V 19.7DB SOT502A Έρευνα
BLF8G10LS-160,118 Image BLF8G10LS-160,118 Ampleon RF FET LDMOS 65V 19.7DB SOT502B Έρευνα

Latest Ειδήσεις