Το BLF8G10LS-270GVJ είναι διαθέσιμο τώρα!Η τεχνολογία LYNTEAM είναι ο διανομέας αποθέματος για την BLF8G10LS-270GVJ, έχουμε τα αποθέματα για άμεση αποστολή και επίσης διαθέσιμο για μεγάλο χρονικό διάστημα.Στείλτε μας το σχέδιο αγοράς σας για το BLF8G10LS-270GVJ μέσω ηλεκτρονικού ταχυδρομείου, θα σας δώσουμε μια καλύτερη τιμή σύμφωνα με το σχέδιό σας.
Αγοράστε BLF8G10LS-270GVJ με LYNTEAM, αποθηκεύστε τα χρήματά σας και το χρόνο σας.
Το email μας: [email protected]
BLF8G10LS-270GVJ
- Αριθμός εξαρτήματος:
- BLF8G10LS-270GVJ
- Κατασκευαστής:
- Ampleon
- Περιγραφή:
- RF FET LDMOS 65V 19.5DB SOT1244C
- Επικεφαλής ελεύθερη κατάσταση:
- Ο μόλυβδος ελεύθερος / συμβατός με RoHS
- Ποσότητα αποθέματος:
- 30304 Pieces
- Ωρα παράδοσης:
- 1-2 days
- Χρόνος παράδοσης:
- 4-8 weeks
- Φύλλο δεδομένων:
- BLF8G10LS-270GVJ.pdf
Εισαγωγή
ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ
| Κατάσταση | New & Original, tested |
|---|---|
| Χώρα προέλευσης | Contact us |
| Κώδικας σήμανσης | Send by email |
| Τάσης - Test: | 28V |
| Τάση - Ονομαστική: | 65V |
| transistor Τύπος: | LDMOS |
| Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή: | CDFM6 |
| Σειρά: | - |
| Ισχύς - εξόδου: | 67W |
| Συσκευασία: | Tape & Reel (TR) |
| Συσκευασία / υπόθεση: | SOT-1244C |
| Αλλα ονόματα: | 568-12777-2 934066908118 BLF8G10LS-270GVJ-ND |
| Θόρυβος Εικόνα: | - |
| Επίπεδο Ευαισθησίας Υγρασίας (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Κατασκευαστής Standard Lead Time: | 13 Weeks |
| Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Κέρδος: | 19.5dB |
| Συχνότητα: | 871.5MHz ~ 891.5MHz |
| Λεπτομερής περιγραφή: | RF Mosfet LDMOS 28V 2A 871.5MHz ~ 891.5MHz 19.5dB 67W CDFM6 |
| τρέχουσα Αξιολόγηση: | - |
| Τρέχουσες - Test: | 2A |
| Αριθμός μέρους βάσης: | BLF8G10 |
| Email: | [email protected] |
Συναφών ανταλλακτικών για BLF8G10LS-270GVJ
| Εικόνα | Αριθμός εξαρτήματος | Κατασκευαστές | Περιγραφή | Θέα |
|---|---|---|---|---|
 |
BLF8G09LS-400PWJ | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 20.6DB SOT1242B | Έρευνα |
 |
BLF8G10LS-300PJ | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 20.5DB SOT539B | Έρευνα |
 |
BLF8G20LS-140VU | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 18.5DB SOT1244B | Έρευνα |
 |
BLF8G19LS-170BVU | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 18DB SOT1120B | Έρευνα |
|
BLF8G19LS-170BV,11 | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 18DB SOT1120B | Έρευνα |
 |
BLF8G10LS-270GV,12 | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 19.5DB SOT1244C | Έρευνα |
 |
BLF8G10LS-160,118 | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 19.7DB SOT502B | Έρευνα |
|
BLF8G10LS-270,118 | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 18.5DB SOT502B | Έρευνα |
 |
BLF8G10L-160,118 | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 19.7DB SOT502A | Έρευνα |
|
BLF8G10L-160,112 | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 19.7DB SOT502A | Έρευνα |
|
BLF8G10LS-160,112 | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 19.7DB SOT502B | Έρευνα |
 |
BLF8G20LS-140GVJ | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 18.5DB SOT1244B | Έρευνα |
|
BLF8G10LS-270V,112 | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 19.5DB SOT1244B | Έρευνα |
|
BLF8G20LS-140GVQ | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 18.5DB SOT1244B | Έρευνα |
 |
BLF8G10LS-270V,118 | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 19.5DB SOT1244B | Έρευνα |
|
BLF8G10LS-300PU | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 20.5DB SOT539B | Έρευνα |
 |
BLF8G20LS-140VJ | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 18.5DB SOT1244B | Έρευνα |
|
BLF8G10LS-270,112 | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 18.5DB SOT502B | Έρευνα |
 |
BLF8G09LS-400PGWQ | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 20.6DB SOT1242C | Έρευνα |
|
BLF8G09LS-400PWU | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 20.6DB SOT1242B | Έρευνα |
Latest Ειδήσεις
- Η οικονομική έκθεση NXP και Ansonmei ανακοίνωσε και η τιμή των τιμών του χαλκού μεταδίδεται στη βιομηχανία IC
- Η Moels Micro Electronics έχει δημιουργήσει νέα γραφεία στην Ταϊβάν της Κίνας για την επέκταση της επιχειρηματικής επικράτειας
- Η απόδοση του Texas Instruments πρέπει ακόμα να ενισχυθεί και τα δύο εργοστάσια αποθήκευσης ωθούν νέα προϊόντα μνήμης flash
- Η χρηματοοικονομική έκθεση του πρώτου τριμήνου του SEF Semiconductor (ST) μειώνεται και η ζήτηση για αυτοκίνητα έχει επιβραδυνθεί
- Η απόδοση του Texas Instruments πρέπει ακόμα να ενισχυθεί και τα δύο εργοστάσια αποθήκευσης ωθούν νέα προϊόντα μνήμης flash
- Τοπικός ώριμος όγκος τσιπ, Samsung NAND Flash Memory παραγωγική παραγωγική ικανότητα κοντά στο φορτίο
- Ο Vishay ξεκινά τη Miniled Packaging High Brightness Small Blue και Pure Green LED
- Η Ansonmei ξεκίνησε έναν επαγωγικό αισθητήρα θέσης για την αγορά βιομηχανικής και μεταφοράς
- Η Ruisa ξεκινά το παλιό εργοστάσιο για να αυξήσει τη συσκευή ισχύος, ο σεισμός επηρεάζει την παραγωγή DRAM ήπιο
- Το microchip επιτρέπει την παραγωγική ικανότητα του TSMC και αυξάνει τις αυξήσεις των τιμών
- Η Ruisa ξεκίνησε το νέο RA0 Series Ultra -Low Power Entry -Level MCU
- Η Melexis εγκαινιάζει ένα πλήρες τσιπ διακόπτη επαγωγέα