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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-FET, MOSFET-RF > BLF8G10LS-270GV,12
BLF8G10LS-270GV,12
BLF8G10LS-270GV,12
Modello di prodotti:
BLF8G10LS-270GV,12
fabbricante:
Ampleon
Descrizione:
RF FET LDMOS 65V 19.5DB SOT1244C
Stato senza piombo:
Senza piombo / RoHS conforme
Quantità di magazzino:
36547 Pieces
Tempo di consegna:
1-2 days
Tempi di consegna:
4-8 weeks
Scheda dati:
BLF8G10LS-270GV,12.pdf
Inchiesta

introduzione

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Specifiche

Condizione New & Original, tested
Paese d'origine Contact us
Codice di marcatura Send by email
Tensione - Prova:28V
Tensione - nominale:65V
Tipo transistor:LDMOS
Contenitore dispositivo fornitore:CDFM6
Serie:-
Alimentazione - uscita:67W
imballaggio:Tray
Contenitore / involucro:SOT-1244C
Altri nomi:1603-1169
934066908127
BLF8G10LS-270GV,12-ND
Figura di rumore:-
Moisture Sensitivity Level (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:13 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Guadagno:19.5dB
Frequenza:871.5MHz ~ 891.5MHz
Descrizione dettagliata:RF Mosfet LDMOS 28V 2A 871.5MHz ~ 891.5MHz 19.5dB 67W CDFM6
Valutazione attuale:-
Corrente - Test:2A
Numero di parte base:BLF8G10
Email:[email protected]

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Parti relative per BLF8G10LS-270GV,12

Immagine Modello di prodotti Produttori Descrizione vista
BLF8G10LS-270,118 Image BLF8G10LS-270,118 Ampleon RF FET LDMOS 65V 18.5DB SOT502B Inchiesta
BLF8G10L-160,118 Image BLF8G10L-160,118 Ampleon RF FET LDMOS 65V 19.7DB SOT502A Inchiesta
BLF8G10LS-160,118 Image BLF8G10LS-160,118 Ampleon RF FET LDMOS 65V 19.7DB SOT502B Inchiesta
BLF8G10L-160,112 Image BLF8G10L-160,112 Ampleon RF FET LDMOS 65V 19.7DB SOT502A Inchiesta
BLF8G19LS-170BV,11 Image BLF8G19LS-170BV,11 Ampleon RF FET LDMOS 65V 18DB SOT1120B Inchiesta
BLF8G20LS-140VJ Image BLF8G20LS-140VJ Ampleon RF FET LDMOS 65V 18.5DB SOT1244B Inchiesta
BLF8G20LS-140GVQ Ampleon RF FET LDMOS 65V 18.5DB SOT1244B Inchiesta
BLF8G19LS-170BVU Image BLF8G19LS-170BVU Ampleon RF FET LDMOS 65V 18DB SOT1120B Inchiesta
BLF8G10LS-270V,118 Image BLF8G10LS-270V,118 Ampleon RF FET LDMOS 65V 19.5DB SOT1244B Inchiesta
BLF8G10LS-270,112 Image BLF8G10LS-270,112 Ampleon RF FET LDMOS 65V 18.5DB SOT502B Inchiesta
BLF8G10LS-300PU Image BLF8G10LS-300PU Ampleon RF FET LDMOS 65V 20.5DB SOT539B Inchiesta
BLF8G10LS-300PJ Image BLF8G10LS-300PJ Ampleon RF FET LDMOS 65V 20.5DB SOT539B Inchiesta
BLF8G10LS-270V,112 Image BLF8G10LS-270V,112 Ampleon RF FET LDMOS 65V 19.5DB SOT1244B Inchiesta
BLF8G09LS-400PWJ Image BLF8G09LS-400PWJ Ampleon RF FET LDMOS 65V 20.6DB SOT1242B Inchiesta
BLF8G10LS-270GVJ Image BLF8G10LS-270GVJ Ampleon RF FET LDMOS 65V 19.5DB SOT1244C Inchiesta
BLF8G20LS-140GVJ Ampleon RF FET LDMOS 65V 18.5DB SOT1244B Inchiesta
BLF8G09LS-400PGWQ Image BLF8G09LS-400PGWQ Ampleon RF FET LDMOS 65V 20.6DB SOT1242C Inchiesta
BLF8G10LS-160,112 Image BLF8G10LS-160,112 Ampleon RF FET LDMOS 65V 19.7DB SOT502B Inchiesta
BLF8G09LS-400PGWJ Image BLF8G09LS-400PGWJ Ampleon RF FET LDMOS 65V 20.6DB SOT1242C Inchiesta
BLF8G09LS-400PWU Image BLF8G09LS-400PWU Ampleon RF FET LDMOS 65V 20.6DB SOT1242B Inchiesta

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