APTM100H35FT3G
Modello di prodotti:
APTM100H35FT3G
fabbricante:
Microsemi
Descrizione:
MOSFET 4N-CH 1000V 22A SP3
Stato senza piombo:
Senza piombo / RoHS conforme
Quantità di magazzino:
44877 Pieces
Tempo di consegna:
1-2 days
Tempi di consegna:
4-8 weeks
Scheda dati:
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introduzione

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Specifiche

Condizione New & Original, tested
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Codice di marcatura Send by email
Vgs (th) (max) a Id:5V @ 2.5mA
Contenitore dispositivo fornitore:SP3
Serie:-
Rds On (max) a Id, Vgs:420 mOhm @ 11A, 10V
Potenza - Max:390W
imballaggio:Bulk
Contenitore / involucro:SP3
temperatura di esercizio:-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Chassis Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:32 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:5200pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:186nC @ 10V
Tipo FET:4 N-Channel (H-Bridge)
Caratteristica FET:Standard
Tensione drain-source (Vdss):1000V (1kV)
Descrizione dettagliata:Mosfet Array 4 N-Channel (H-Bridge) 1000V (1kV) 22A 390W Chassis Mount SP3
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:22A
Email:[email protected]

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