APTM100H35FT3G je nyní k dispozici!Technologie LYNTEAM je distributorem skladování pro APTM100H35FT3G, máme akcie pro okamžitou dopravu a také k dispozici pro dlouhodobé dodávky.Prosím, pošlete nám svůj kupní plán pro APTM100H35FT3G e-mailem, dáme vám nejlepší cenu podle vašeho plánu.
Kupte si APTM100H35FT3G s LYNTEAM, uložte své peníze a čas.
Náš email: [email protected]
APTM100H35FT3G
- Part Number:
- APTM100H35FT3G
- Výrobce:
- Microsemi
- Popis:
- MOSFET 4N-CH 1000V 22A SP3
- Vedoucí volný stav:
- Bez olova / V souladu RoHS
- Množství zásob:
- 44877 Pieces
- Čas doručení:
- 1-2 days
- Dodací lhůta:
- 4-8 weeks
- Datový list:
- 1.APTM100H35FT3G.pdf2.APTM100H35FT3G.pdf
Úvod
Specifikace
| Stav | New & Original, tested |
|---|---|
| Země původu | Contact us |
| Označovací kód | Send by email |
| Vgs (th) (max) 'Id: | 5V @ 2.5mA |
| Dodavatel zařízení Package: | SP3 |
| Série: | - |
| RDS On (Max) @ Id, Vgs: | 420 mOhm @ 11A, 10V |
| Power - Max: | 390W |
| Obal: | Bulk |
| Paket / krabice: | SP3 |
| Provozní teplota: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Typ montáže: | Chassis Mount |
| Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Výrobní standardní doba výroby: | 32 Weeks |
| Stav volného vedení / RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds: | 5200pF @ 25V |
| Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs: | 186nC @ 10V |
| Typ FET: | 4 N-Channel (H-Bridge) |
| FET Feature: | Standard |
| Drain na zdroj napětí (Vdss): | 1000V (1kV) |
| Detailní popis: | Mosfet Array 4 N-Channel (H-Bridge) 1000V (1kV) 22A 390W Chassis Mount SP3 |
| Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C: | 22A |
| Email: | [email protected] |
Související díly pro APTM100H35FT3G
| Obraz | Part Number | Výrobci | Popis | Pohled |
|---|---|---|---|---|
 |
APTM100DSK35T3G | Microsemi | MOSFET 2N-CH 1000V 22A SP3 | Dotaz |
|
APTM100DA40T1G | Microsemi | MOSFET N-CH 1000V 20A SP1 | Dotaz |
|
APTM100DA18TG | Microsemi | MOSFET N-CH 1000V 43A SP4 | Dotaz |
|
APTM100DUM90G | Microsemi | MOSFET 2N-CH 1000V 78A SP6 | Dotaz |
|
APTM100DA33T1G | Microsemi | MOSFET N-CH 1000V 23A SP1 | Dotaz |
 |
APTM100H45SCTG | Microsemi | MOSFET 4N-CH 1000V 18A SP4 | Dotaz |
|
APTM100H46FT3G | Microsemi | MOSFET 4N-CH 1000V 19A SP3 | Dotaz |
 |
APTM100H45STG | Microsemi | MOSFET 4N-CH 1000V 18A SP4 | Dotaz |
|
APTM100SK33T1G | Microsemi | MOSFET N-CH 1000V 23A SP1 | Dotaz |
|
APTM100H35FTG | Microsemi | MOSFET 4N-CH 1000V 22A SP4 | Dotaz |
|
APTM100DU18TG | Microsemi | MOSFET 2N-CH 1000V 43A SP4 | Dotaz |
|
APTM100SKM90G | Microsemi | MOSFET N-CH 1000V 78A SP6 | Dotaz |
|
APTM100H45FT3G | Microsemi | MOSFET 4N-CH 1000V 18A SP3 | Dotaz |
|
APTM100DDA35T3G | Microsemi | MOSFET 2N-CH 1000V 22A SP3 | Dotaz |
 |
APTM100H18FG | Microsemi | MOSFET 4N-CH 1000V 43A SP6 | Dotaz |
|
APTM100DAM90G | Microsemi | MOSFET N-CH 1000V 78A SP6 | Dotaz |
|
APTM100DA18T1G | Microsemi | MOSFET N-CH 1000V 40A SP1 | Dotaz |
|
APTM100SK40T1G | Microsemi | MOSFET N-CH 1000V 20A SP1 | Dotaz |
|
APTM100H80FT1G | Microsemi | MOSFET 4N-CH 1000V 11A SP1 | Dotaz |
|
APTM100SK18TG | Microsemi | MOSFET N-CH 1000V 43A SP4 | Dotaz |
Latest News
- Qorvo spustil vynikající odvětví vysoce -gain 5g mmimo předběžného
- AI simulační cyklus dotaz, AI řídí poptávka po paměti Flash paměť
- Micron's Plán vybudovat továrnu, Nand Flash paměť za vysoké ceny nebo údržbu
- Výkon ADI je snížen, vzrostly substráty měděné fólie, skladování původní výroby továrny Konzervativní
- Vlna inteligence v autě přichází a Aimus Oslang pomohl Sagita Juguang uvolnit MX Lidar
- Výrobní kapacita HBM je vyloučena, paměť DRAM může být v druhé polovině roku nedostatečná
- Zakladatelé zdi skončí, HBM nebo způsobí, že se opět zvýší DRAM
- Poptávka po mobilním telefonu a expanzi PC, globální polovodičové výroby průmyslu
- Pochopte potřeby systémů monitorování ADAS a kabiny pro obrazové senzory zabezpečení sítě
- Říká se, že Samsung a SK Hynix zastavili DDR3 a propagační nabídka vzrostla o 20 %
- Melexis vydala MLX90427: Ovládání linky k novému výběru, bezpečné, efektivní a ekonomické
- Finanční zpráva NXP a ANSONMEI byla oznámena a cena cen mědi je přenášena do průmyslu IC