APTM100DUM90G je nyní k dispozici!Technologie LYNTEAM je distributorem skladování pro APTM100DUM90G, máme akcie pro okamžitou dopravu a také k dispozici pro dlouhodobé dodávky.Prosím, pošlete nám svůj kupní plán pro APTM100DUM90G e-mailem, dáme vám nejlepší cenu podle vašeho plánu.
Kupte si APTM100DUM90G s LYNTEAM, uložte své peníze a čas.
Náš email: [email protected]
APTM100DUM90G
- Part Number:
- APTM100DUM90G
- Výrobce:
- Microsemi
- Popis:
- MOSFET 2N-CH 1000V 78A SP6
- Vedoucí volný stav:
- Bez olova / V souladu RoHS
- Množství zásob:
- 30477 Pieces
- Čas doručení:
- 1-2 days
- Dodací lhůta:
- 4-8 weeks
- Datový list:
- 1.APTM100DUM90G.pdf2.APTM100DUM90G.pdf
Úvod
Specifikace
| Stav | New & Original, tested |
|---|---|
| Země původu | Contact us |
| Označovací kód | Send by email |
| Vgs (th) (max) 'Id: | 5V @ 10mA |
| Dodavatel zařízení Package: | SP6 |
| Série: | - |
| RDS On (Max) @ Id, Vgs: | 105 mOhm @ 39A, 10V |
| Power - Max: | 1250W |
| Obal: | Bulk |
| Paket / krabice: | SP6 |
| Provozní teplota: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Typ montáže: | Chassis Mount |
| Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Stav volného vedení / RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds: | 20700pF @ 25V |
| Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs: | 744nC @ 10V |
| Typ FET: | 2 N-Channel (Dual) |
| FET Feature: | Standard |
| Drain na zdroj napětí (Vdss): | 1000V (1kV) |
| Detailní popis: | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 1000V (1kV) 78A 1250W Chassis Mount SP6 |
| Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C: | 78A |
| Email: | [email protected] |
Související díly pro APTM100DUM90G
| Obraz | Part Number | Výrobci | Popis | Pohled |
|---|---|---|---|---|
 |
APTM100DA40T1G | Microsemi | MOSFET N-CH 1000V 20A SP1 | Dotaz |
|
APTM100H35FT3G | Microsemi | MOSFET 4N-CH 1000V 22A SP3 | Dotaz |
|
APTM100DDA35T3G | Microsemi | MOSFET 2N-CH 1000V 22A SP3 | Dotaz |
 |
APTM100H45SCTG | Microsemi | MOSFET 4N-CH 1000V 18A SP4 | Dotaz |
|
APTM100SK33T1G | Microsemi | MOSFET N-CH 1000V 23A SP1 | Dotaz |
|
APTM100DA18TG | Microsemi | MOSFET N-CH 1000V 43A SP4 | Dotaz |
|
APTM100H35FTG | Microsemi | MOSFET 4N-CH 1000V 22A SP4 | Dotaz |
|
APTM100DAM90G | Microsemi | MOSFET N-CH 1000V 78A SP6 | Dotaz |
|
APTM100DA18T1G | Microsemi | MOSFET N-CH 1000V 40A SP1 | Dotaz |
|
APTM100H80FT1G | Microsemi | MOSFET 4N-CH 1000V 11A SP1 | Dotaz |
|
APTM100H45FT3G | Microsemi | MOSFET 4N-CH 1000V 18A SP3 | Dotaz |
|
APTM100SK18TG | Microsemi | MOSFET N-CH 1000V 43A SP4 | Dotaz |
 |
APTM100AM90FG | Microsemi | MOSFET 2N-CH 1000V 78A SP6 | Dotaz |
|
APTM100DA18CT1G | Microsemi | MOSFET N-CH 1000V 40A SP1 | Dotaz |
|
APTM100DSK35T3G | Microsemi | MOSFET 2N-CH 1000V 22A SP3 | Dotaz |
|
APTM100DA33T1G | Microsemi | MOSFET N-CH 1000V 23A SP1 | Dotaz |
|
APTM100DU18TG | Microsemi | MOSFET 2N-CH 1000V 43A SP4 | Dotaz |
 |
APTM100H45STG | Microsemi | MOSFET 4N-CH 1000V 18A SP4 | Dotaz |
 |
APTM100H18FG | Microsemi | MOSFET 4N-CH 1000V 43A SP6 | Dotaz |
|
APTM100H46FT3G | Microsemi | MOSFET 4N-CH 1000V 19A SP3 | Dotaz |
Latest News
- Pochopte potřeby systémů monitorování ADAS a kabiny pro obrazové senzory zabezpečení sítě
- Říká se, že Samsung a SK Hynix zastavili DDR3 a propagační nabídka vzrostla o 20 %
- Melexis vydala MLX90427: Ovládání linky k novému výběru, bezpečné, efektivní a ekonomické
- Finanční zpráva NXP a ANSONMEI byla oznámena a cena cen mědi je přenášena do průmyslu IC
- Moels Micro Electronics zřídila nové kanceláře na Tchaj -wanu v Číně, aby rozšířila obchodní území
- Výkon texaských nástrojů je třeba ještě posílit a dvě úložné továrny tlačí nové produkty Flash Memory
- Finanční zpráva prvního čtvrtletí SEF Semiconductor (ST) se snižuje a poptávka po automobilech se zpomalila
- Výkon texaských nástrojů je třeba ještě posílit a dvě úložné továrny tlačí nové produkty Flash Memory
- Místní zralý objem čipu, Samsung Nand Flash Memory Production Capaciption blízko zatížení
- Vishay uvádí na trh Miniled Balení s vysokým jasem Malá modrá a čistě zelená LED
- Ansonmei spustila induktivní snímač pozice pro trh průmyslového a dopravy
- Ruisa zahajuje starou továrnu, aby zvýšila napájecí zařízení, zemětřesení ovlivňuje výstup DRAM mírný