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APTM100H45STG
- Modello di prodotti:
- APTM100H45STG
- fabbricante:
- Microsemi
- Descrizione:
- MOSFET 4N-CH 1000V 18A SP4
- Stato senza piombo:
- Senza piombo / RoHS conforme
- Quantità di magazzino:
- 56593 Pieces
- Tempo di consegna:
- 1-2 days
- Tempi di consegna:
- 4-8 weeks
- Scheda dati:
- 1.APTM100H45STG.pdf2.APTM100H45STG.pdf
introduzione
Specifiche
| Condizione | New & Original, tested |
|---|---|
| Paese d'origine | Contact us |
| Codice di marcatura | Send by email |
| Vgs (th) (max) a Id: | 5V @ 2.5mA |
| Contenitore dispositivo fornitore: | SP4 |
| Serie: | - |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 540 mOhm @ 9A, 10V |
| Potenza - Max: | 357W |
| imballaggio: | Bulk |
| Contenitore / involucro: | SP4 |
| temperatura di esercizio: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Chassis Mount |
| Moisture Sensitivity Level (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard: | 32 Weeks |
| Stato senza piombo / Stato RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 4350pF @ 25V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 154nC @ 10V |
| Tipo FET: | 4 N-Channel (H-Bridge) |
| Caratteristica FET: | Standard |
| Tensione drain-source (Vdss): | 1000V (1kV) |
| Descrizione dettagliata: | Mosfet Array 4 N-Channel (H-Bridge) 1000V (1kV) 18A 357W Chassis Mount SP4 |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 18A |
| Email: | [email protected] |
Parti relative per APTM100H45STG
| Immagine | Modello di prodotti | Produttori | Descrizione | vista |
|---|---|---|---|---|
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APTM100H45SCTG | Microsemi | MOSFET 4N-CH 1000V 18A SP4 | Inchiesta |
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APTM100TA35SCTPG | Microsemi | MOSFET 6N-CH 1000V 22A SP6P | Inchiesta |
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APTM100TDU35PG | Microsemi | MOSFET 6N-CH 1000V 22A SP6-P | Inchiesta |
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APTM100DAM90G | Microsemi | MOSFET N-CH 1000V 78A SP6 | Inchiesta |
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