APTC80TA15PG è disponibile ora!La tecnologia LYNTEAM è il distributore di calza per APTC80TA15PG, abbiamo gli stock per la spedizione immediata e disponibili anche per un lungo periodo di rifornimento.Vi preghiamo di inviarci il tuo piano di acquisto per APTC80TA15PG via email, ti forniremo un prezzo migliore secondo il tuo piano.
Acquista APTC80TA15PG con LYNTEAM, salva i tuoi soldi e il tempo.
La nostra email: [email protected]
APTC80TA15PG
- Modello di prodotti:
- APTC80TA15PG
- fabbricante:
- Microsemi
- Descrizione:
- MOSFET 6N-CH 800V 28A SP6P
- Stato senza piombo:
- Senza piombo / RoHS conforme
- Quantità di magazzino:
- 26721 Pieces
- Tempo di consegna:
- 1-2 days
- Tempi di consegna:
- 4-8 weeks
- Scheda dati:
- 1.APTC80TA15PG.pdf2.APTC80TA15PG.pdf
introduzione
Specifiche
| Condizione | New & Original, tested |
|---|---|
| Paese d'origine | Contact us |
| Codice di marcatura | Send by email |
| Vgs (th) (max) a Id: | 3.9V @ 2mA |
| Contenitore dispositivo fornitore: | SP6-P |
| Serie: | - |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 150 mOhm @ 14A, 10V |
| Potenza - Max: | 277W |
| imballaggio: | Bulk |
| Contenitore / involucro: | SP6 |
| temperatura di esercizio: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Chassis Mount |
| Moisture Sensitivity Level (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard: | 32 Weeks |
| Stato senza piombo / Stato RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 4507pF @ 25V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 180nC @ 10V |
| Tipo FET: | 6 N-Channel (3-Phase Bridge) |
| Caratteristica FET: | Standard |
| Tensione drain-source (Vdss): | 800V |
| Descrizione dettagliata: | Mosfet Array 6 N-Channel (3-Phase Bridge) 800V 28A 277W Chassis Mount SP6-P |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 28A |
| Email: | [email protected] |
Parti relative per APTC80TA15PG
| Immagine | Modello di prodotti | Produttori | Descrizione | vista |
|---|---|---|---|---|
 |
APTC90H12SCTG | Microsemi | MOSFET 4N-CH 900V 30A SP4 | Inchiesta |
|
APTC80H29T1G | Microsemi | MOSFET 4N-CH 800V 15A SP1 | Inchiesta |
|
APTC90DSK12T1G | Microsemi | MOSFET 2N-CH 900V 30A SP1 | Inchiesta |
|
APTC80DSK15T3G | Microsemi | MOSFET 2N-CH 800V 28A SP3 | Inchiesta |
|
APTC90AM602G | Microsemi | MOSFET 2N-CH 900V 59A SP2 | Inchiesta |
|
APTC80H15T1G | Microsemi | MOSFET 4N-CH 800V 28A SP1 | Inchiesta |
|
APTC80H29SCTG | Microsemi | MOSFET 4N-CH 800V 15A SP4 | Inchiesta |
 |
APTC80TDU15PG | Microsemi | MOSFET 6N-CH 800V 28A SP6-P | Inchiesta |
|
APTC90DDA12T1G | Microsemi | MOSFET 2N-CH 900V 30A SP1 | Inchiesta |
|
APTC90H12T1G | Microsemi | MOSFET 4N-CH 900V 30A SP1 | Inchiesta |
|
APTC80DSK29T3G | Microsemi | MOSFET 2N-CH 800V 15A SP3 | Inchiesta |
|
APTC80H15T3G | Microsemi | MOSFET 4N-CH 800V 28A SP3 | Inchiesta |
|
APTC90DAM60CT1G | Microsemi | MOSFET N-CH 900V 59A SP1 | Inchiesta |
|
APTC80DDA15T3G | Microsemi | MOSFET 2N-CH 800V 28A SP3 | Inchiesta |
|
APTC80DDA29T3G | Microsemi | MOSFET 2N-CH 800V 15A SP3 | Inchiesta |
|
APTC90AM60SCTG | Microsemi | MOSFET 2N-CH 900V 59A SP4 | Inchiesta |
|
APTC80H29T3G | Microsemi | MOSFET 4N-CH 800V 15A SP3 | Inchiesta |
|
APTC90AM60T1G | Microsemi | MOSFET 2N-CH 900V 59A SP1 | Inchiesta |
 |
APTC90DAM60T1G | Microsemi | MOSFET N-CH 900V 59A SP1 | Inchiesta |
|
APTC80SK15T1G | Microsemi | MOSFET N-CH 800V 28A SP1 | Inchiesta |
Latest Notizie
- Si dice che Samsung e SK Hynix abbiano fermato DDR3 e la citazione di promozione è aumentata del 20 %
- Melexis rilasciata MLX90427: controllo della linea a nuova scelta, sicuro, efficiente ed economico
- La relazione finanziaria di NXP e Ansonmei ha annunciato e il prezzo dei prezzi del rame viene trasmesso all'industria IC
- Moels Micro Electronics ha creato nuovi uffici a Taiwan, in Cina per espandere il territorio degli affari
- Le prestazioni di Texas Instruments devono ancora essere potenziate e le due fabbriche di archiviazione spingono i nuovi prodotti di memoria flash
- Il rapporto finanziario del primo trimestre del SEF Semiconductor (ST) diminuisce e la domanda di automobili ha rallentato
- Le prestazioni di Texas Instruments devono ancora essere potenziate e le due fabbriche di archiviazione spingono i nuovi prodotti di memoria flash
- Volume del chip maturo locale, capacità di produzione di memoria flash Samsung Nand vicino a carico
- Vishay lancia l'imballaggio minile ad alta luminosità a LED blu e verde puro
- Ansonmei ha lanciato un sensore di posizione induttivo per il mercato industriale e dei trasporti
- Ruisa inizia la vecchia fabbrica per aumentare il dispositivo di alimentazione, il terremoto influisce su lieve uscita DRAM
- Il microchip consente la capacità di produzione di TSMC e aumenta gli aumenti dei prezzi