APTC80TA15PG je nyní k dispozici!Technologie LYNTEAM je distributorem skladování pro APTC80TA15PG, máme akcie pro okamžitou dopravu a také k dispozici pro dlouhodobé dodávky.Prosím, pošlete nám svůj kupní plán pro APTC80TA15PG e-mailem, dáme vám nejlepší cenu podle vašeho plánu.
Kupte si APTC80TA15PG s LYNTEAM, uložte své peníze a čas.
Náš email: [email protected]
APTC80TA15PG
- Part Number:
- APTC80TA15PG
- Výrobce:
- Microsemi
- Popis:
- MOSFET 6N-CH 800V 28A SP6P
- Vedoucí volný stav:
- Bez olova / V souladu RoHS
- Množství zásob:
- 26721 Pieces
- Čas doručení:
- 1-2 days
- Dodací lhůta:
- 4-8 weeks
- Datový list:
- 1.APTC80TA15PG.pdf2.APTC80TA15PG.pdf
Úvod
Specifikace
| Stav | New & Original, tested |
|---|---|
| Země původu | Contact us |
| Označovací kód | Send by email |
| Vgs (th) (max) 'Id: | 3.9V @ 2mA |
| Dodavatel zařízení Package: | SP6-P |
| Série: | - |
| RDS On (Max) @ Id, Vgs: | 150 mOhm @ 14A, 10V |
| Power - Max: | 277W |
| Obal: | Bulk |
| Paket / krabice: | SP6 |
| Provozní teplota: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Typ montáže: | Chassis Mount |
| Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Výrobní standardní doba výroby: | 32 Weeks |
| Stav volného vedení / RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds: | 4507pF @ 25V |
| Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs: | 180nC @ 10V |
| Typ FET: | 6 N-Channel (3-Phase Bridge) |
| FET Feature: | Standard |
| Drain na zdroj napětí (Vdss): | 800V |
| Detailní popis: | Mosfet Array 6 N-Channel (3-Phase Bridge) 800V 28A 277W Chassis Mount SP6-P |
| Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C: | 28A |
| Email: | [email protected] |
Související díly pro APTC80TA15PG
| Obraz | Part Number | Výrobci | Popis | Pohled |
|---|---|---|---|---|
 |
APTC90H12SCTG | Microsemi | MOSFET 4N-CH 900V 30A SP4 | Dotaz |
|
APTC80H29T1G | Microsemi | MOSFET 4N-CH 800V 15A SP1 | Dotaz |
|
APTC90DSK12T1G | Microsemi | MOSFET 2N-CH 900V 30A SP1 | Dotaz |
|
APTC80DSK15T3G | Microsemi | MOSFET 2N-CH 800V 28A SP3 | Dotaz |
|
APTC90AM602G | Microsemi | MOSFET 2N-CH 900V 59A SP2 | Dotaz |
|
APTC80H15T1G | Microsemi | MOSFET 4N-CH 800V 28A SP1 | Dotaz |
|
APTC80H29SCTG | Microsemi | MOSFET 4N-CH 800V 15A SP4 | Dotaz |
 |
APTC80TDU15PG | Microsemi | MOSFET 6N-CH 800V 28A SP6-P | Dotaz |
|
APTC90DDA12T1G | Microsemi | MOSFET 2N-CH 900V 30A SP1 | Dotaz |
|
APTC90H12T1G | Microsemi | MOSFET 4N-CH 900V 30A SP1 | Dotaz |
|
APTC80DSK29T3G | Microsemi | MOSFET 2N-CH 800V 15A SP3 | Dotaz |
|
APTC80H15T3G | Microsemi | MOSFET 4N-CH 800V 28A SP3 | Dotaz |
|
APTC90DAM60CT1G | Microsemi | MOSFET N-CH 900V 59A SP1 | Dotaz |
|
APTC80DDA15T3G | Microsemi | MOSFET 2N-CH 800V 28A SP3 | Dotaz |
|
APTC80DDA29T3G | Microsemi | MOSFET 2N-CH 800V 15A SP3 | Dotaz |
|
APTC90AM60SCTG | Microsemi | MOSFET 2N-CH 900V 59A SP4 | Dotaz |
|
APTC80H29T3G | Microsemi | MOSFET 4N-CH 800V 15A SP3 | Dotaz |
|
APTC90AM60T1G | Microsemi | MOSFET 2N-CH 900V 59A SP1 | Dotaz |
 |
APTC90DAM60T1G | Microsemi | MOSFET N-CH 900V 59A SP1 | Dotaz |
|
APTC80SK15T1G | Microsemi | MOSFET N-CH 800V 28A SP1 | Dotaz |
Latest News
- Říká se, že Samsung a SK Hynix zastavili DDR3 a propagační nabídka vzrostla o 20 %
- Melexis vydala MLX90427: Ovládání linky k novému výběru, bezpečné, efektivní a ekonomické
- Finanční zpráva NXP a ANSONMEI byla oznámena a cena cen mědi je přenášena do průmyslu IC
- Moels Micro Electronics zřídila nové kanceláře na Tchaj -wanu v Číně, aby rozšířila obchodní území
- Výkon texaských nástrojů je třeba ještě posílit a dvě úložné továrny tlačí nové produkty Flash Memory
- Finanční zpráva prvního čtvrtletí SEF Semiconductor (ST) se snižuje a poptávka po automobilech se zpomalila
- Výkon texaských nástrojů je třeba ještě posílit a dvě úložné továrny tlačí nové produkty Flash Memory
- Místní zralý objem čipu, Samsung Nand Flash Memory Production Capaciption blízko zatížení
- Vishay uvádí na trh Miniled Balení s vysokým jasem Malá modrá a čistě zelená LED
- Ansonmei spustila induktivní snímač pozice pro trh průmyslového a dopravy
- Ruisa zahajuje starou továrnu, aby zvýšila napájecí zařízení, zemětřesení ovlivňuje výstup DRAM mírný
- Mikročip umožňuje výrobní kapacitu TSMC a zvyšuje zvyšování cen