APTC80H29T3G è disponibile ora!La tecnologia LYNTEAM è il distributore di calza per APTC80H29T3G, abbiamo gli stock per la spedizione immediata e disponibili anche per un lungo periodo di rifornimento.Vi preghiamo di inviarci il tuo piano di acquisto per APTC80H29T3G via email, ti forniremo un prezzo migliore secondo il tuo piano.
Acquista APTC80H29T3G con LYNTEAM, salva i tuoi soldi e il tempo.
La nostra email: [email protected]
APTC80H29T3G
- Modello di prodotti:
- APTC80H29T3G
- fabbricante:
- Microsemi
- Descrizione:
- MOSFET 4N-CH 800V 15A SP3
- Stato senza piombo:
- Senza piombo / RoHS conforme
- Quantità di magazzino:
- 52626 Pieces
- Tempo di consegna:
- 1-2 days
- Tempi di consegna:
- 4-8 weeks
- Scheda dati:
- 1.APTC80H29T3G.pdf2.APTC80H29T3G.pdf
introduzione
Specifiche
| Condizione | New & Original, tested |
|---|---|
| Paese d'origine | Contact us |
| Codice di marcatura | Send by email |
| Vgs (th) (max) a Id: | 3.9V @ 1mA |
| Contenitore dispositivo fornitore: | SP3 |
| Serie: | - |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 290 mOhm @ 7.5A, 10V |
| Potenza - Max: | 156W |
| imballaggio: | Bulk |
| Contenitore / involucro: | SP3 |
| temperatura di esercizio: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Chassis Mount |
| Moisture Sensitivity Level (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard: | 32 Weeks |
| Stato senza piombo / Stato RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 2254pF @ 25V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 90nC @ 10V |
| Tipo FET: | 4 N-Channel (H-Bridge) |
| Caratteristica FET: | Standard |
| Tensione drain-source (Vdss): | 800V |
| Descrizione dettagliata: | Mosfet Array 4 N-Channel (H-Bridge) 800V 15A 156W Chassis Mount SP3 |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 15A |
| Email: | [email protected] |
Parti relative per APTC80H29T3G
| Immagine | Modello di prodotti | Produttori | Descrizione | vista |
|---|---|---|---|---|
 |
APTC80DDA15T3G | Microsemi | MOSFET 2N-CH 800V 28A SP3 | Inchiesta |
|
APTC80H29SCTG | Microsemi | MOSFET 4N-CH 800V 15A SP4 | Inchiesta |
|
APTC90AM60T1G | Microsemi | MOSFET 2N-CH 900V 59A SP1 | Inchiesta |
|
APTC80DA15T1G | Microsemi | MOSFET N-CH 800V 28A SP1 | Inchiesta |
|
APTC80DDA29T3G | Microsemi | MOSFET 2N-CH 800V 15A SP3 | Inchiesta |
|
APTC90AM602G | Microsemi | MOSFET 2N-CH 900V 59A SP2 | Inchiesta |
|
APTC80H15T3G | Microsemi | MOSFET 4N-CH 800V 28A SP3 | Inchiesta |
|
APTC90DDA12T1G | Microsemi | MOSFET 2N-CH 900V 30A SP1 | Inchiesta |
|
APTC80DSK15T3G | Microsemi | MOSFET 2N-CH 800V 28A SP3 | Inchiesta |
|
APTC80H15T1G | Microsemi | MOSFET 4N-CH 800V 28A SP1 | Inchiesta |
|
APTC80SK15T1G | Microsemi | MOSFET N-CH 800V 28A SP1 | Inchiesta |
 |
APTC80TA15PG | Microsemi | MOSFET 6N-CH 800V 28A SP6P | Inchiesta |
 |
APTC90DAM60T1G | Microsemi | MOSFET N-CH 900V 59A SP1 | Inchiesta |
|
APTC80AM75SCG | Microsemi | MOSFET 2N-CH 800V 56A SP6 | Inchiesta |
|
APTC90DAM60CT1G | Microsemi | MOSFET N-CH 900V 59A SP1 | Inchiesta |
|
APTC80DSK29T3G | Microsemi | MOSFET 2N-CH 800V 15A SP3 | Inchiesta |
|
APTC80H29T1G | Microsemi | MOSFET 4N-CH 800V 15A SP1 | Inchiesta |
|
APTC90DSK12T1G | Microsemi | MOSFET 2N-CH 900V 30A SP1 | Inchiesta |
|
APTC90AM60SCTG | Microsemi | MOSFET 2N-CH 900V 59A SP4 | Inchiesta |
|
APTC80TDU15PG | Microsemi | MOSFET 6N-CH 800V 28A SP6-P | Inchiesta |
Latest Notizie
- Qorvo ha lanciato le eccezionali preliminari 5G MMIMO ad alto livello del settore
- Inventario del ciclo di simulazione Sottomarcia, Ai guida la domanda di memoria flash continua
- Il piano di Micron di costruire una memoria di fabbrica, NAND Flash a prezzi o manutenzione elevati
- Le prestazioni ADI sono ridotte, i substrati in lamina di rame sono aumentati, lo stoccaggio di fabbrica originale aumenta la produzione conservativa
- L'ondata di intelligenza nell'auto sta arrivando e Aimus Oslang ha aiutato Sagita Juguang a rilasciare MX Lidar
- La capacità di produzione di HBM è esclusa, la memoria DRAM potrebbe essere scarsa nella seconda metà dell'anno
- I fondatori di muro finiranno, HBM o farà risalire la DRAM
- Domanda di espansione di telefonia mobile e PC, miglioramento del settore della produzione di semiconduttori globali
- Comprendere le esigenze degli ADA e dei sistemi di monitoraggio della cabina per i sensori di immagine di sicurezza della rete
- Si dice che Samsung e SK Hynix abbiano fermato DDR3 e la citazione di promozione è aumentata del 20 %
- Melexis rilasciata MLX90427: controllo della linea a nuova scelta, sicuro, efficiente ed economico
- La relazione finanziaria di NXP e Ansonmei ha annunciato e il prezzo dei prezzi del rame viene trasmesso all'industria IC