AOSD62666E
AOSD62666E
Modello di prodotti:
AOSD62666E
fabbricante:
Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Descrizione:
MOSFET 2 N-CH 60V 9.5A 8SOIC
Stato senza piombo:
Senza piombo / RoHS conforme
Quantità di magazzino:
56534 Pieces
Tempo di consegna:
1-2 days
Tempi di consegna:
4-8 weeks
Scheda dati:
AOSD62666E.pdf

introduzione

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Specifiche

Condizione New & Original, tested
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Vgs (th) (max) a Id:2.2V @ 250µA
Contenitore dispositivo fornitore:8-SOIC
Serie:-
Rds On (max) a Id, Vgs:14.5 mOhm @ 9.5A, 10V
Potenza - Max:2.5W (Ta)
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Altri nomi:785-1792-2
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:26 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:755pF @ 30V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:10nC @ 4.5V
Tipo FET:2 N-Channel (Dual)
Caratteristica FET:Logic Level Gate
Tensione drain-source (Vdss):60V
Descrizione dettagliata:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 9.5A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SOIC
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:9.5A (Ta)
Email:[email protected]

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