AOSD62666E
AOSD62666E
Modelo do Produto:
AOSD62666E
Fabricante:
Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Descrição:
MOSFET 2 N-CH 60V 9.5A 8SOIC
Status sem chumbo:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade em estoque:
56534 Pieces
Tempo de entrega:
1-2 days
Tempo de espera:
4-8 weeks
Ficha de dados:
AOSD62666E.pdf

Introdução

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Especificações

Condição New & Original, tested
País de origem Contact us
Código de Marcação Send by email
VGS (th) (Max) @ Id:2.2V @ 250µA
Embalagem do dispositivo fornecedor:8-SOIC
Série:-
RDS ON (Max) @ Id, VGS:14.5 mOhm @ 9.5A, 10V
Power - Max:2.5W (Ta)
Embalagem:Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Outros nomes:785-1792-2
Temperatura de operação:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL):1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante:26 Weeks
Status sem chumbo / status de RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:755pF @ 30V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:10nC @ 4.5V
Tipo FET:2 N-Channel (Dual)
Característica FET:Logic Level Gate
Escorra a tensão de fonte (Vdss):60V
Descrição detalhada:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 9.5A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SOIC
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:9.5A (Ta)
Email:[email protected]

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