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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-FET, MOSFET-singolo > 2SK1058-E
2SK1058-E
2SK1058-E
Modello di prodotti:
2SK1058-E
fabbricante:
Renesas Electronics America
Descrizione:
MOSFET N-CH 160V 7A TO-3P
Stato senza piombo:
Senza piombo / RoHS conforme
Quantità di magazzino:
47466 Pieces
Tempo di consegna:
1-2 days
Tempi di consegna:
4-8 weeks
Scheda dati:
2SK1058-E.pdf
Inchiesta

introduzione

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Specifiche

Condizione New & Original, tested
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Vgs (th) (max) a Id:-
Vgs (Max):±15V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:TO-3P
Serie:-
Rds On (max) a Id, Vgs:-
Dissipazione di potenza (max):100W (Tc)
imballaggio:Tube
Contenitore / involucro:TO-3P-3, SC-65-3
temperatura di esercizio:150°C (TJ)
Tipo montaggio:Through Hole
Moisture Sensitivity Level (MSL):1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:600pF @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On):-
Tensione drain-source (Vdss):160V
Descrizione dettagliata:N-Channel 160V 7A (Ta) 100W (Tc) Through Hole TO-3P
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:7A (Ta)
Email:[email protected]

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