Ελλάδα
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Hrvatska Ελλάδα✕
Σχετικά με εμάς | Επικοινωνήστε μαζί μας | Ζητήστε προσφορά |
Σπίτι > Προϊόντα > Προϊόντα διακριτών ημιαγωγών > Τρανζίστορ - τρανζίστορ, MOSFETs - Single > 2SK1058-E
2SK1058-E
2SK1058-E
Αριθμός εξαρτήματος:
2SK1058-E
Κατασκευαστής:
Renesas Electronics America
Περιγραφή:
MOSFET N-CH 160V 7A TO-3P
Επικεφαλής ελεύθερη κατάσταση:
Ο μόλυβδος ελεύθερος / συμβατός με RoHS
Ποσότητα αποθέματος:
47466 Pieces
Ωρα παράδοσης:
1-2 days
Χρόνος παράδοσης:
4-8 weeks
Φύλλο δεδομένων:
2SK1058-E.pdf
Έρευνα

Εισαγωγή

Το 2SK1058-E είναι διαθέσιμο τώρα!Η τεχνολογία LYNTEAM είναι ο διανομέας αποθέματος για την 2SK1058-E, έχουμε τα αποθέματα για άμεση αποστολή και επίσης διαθέσιμο για μεγάλο χρονικό διάστημα.Στείλτε μας το σχέδιο αγοράς σας για το 2SK1058-E μέσω ηλεκτρονικού ταχυδρομείου, θα σας δώσουμε μια καλύτερη τιμή σύμφωνα με το σχέδιό σας.
Αγοράστε 2SK1058-E με LYNTEAM, αποθηκεύστε τα χρήματά σας και το χρόνο σας.
Το email μας: [email protected]

ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ

Κατάσταση New & Original, tested
Χώρα προέλευσης Contact us
Κώδικας σήμανσης Send by email
Vgs (th) (Max) @ Id:-
Vgs (Max):±15V
Τεχνολογία:MOSFET (Metal Oxide)
Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή:TO-3P
Σειρά:-
Rds On (Max) @ Id, Vgs:-
Έκλυση ενέργειας (Max):100W (Tc)
Συσκευασία:Tube
Συσκευασία / υπόθεση:TO-3P-3, SC-65-3
Θερμοκρασία λειτουργίας:150°C (TJ)
τοποθέτηση Τύπος:Through Hole
Επίπεδο Ευαισθησίας Υγρασίας (MSL):1 (Unlimited)
Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds:600pF @ 10V
FET Τύπος:N-Channel
FET Χαρακτηριστικό:-
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση Rds On, Min Rds On):-
Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss):160V
Λεπτομερής περιγραφή:N-Channel 160V 7A (Ta) 100W (Tc) Through Hole TO-3P
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C:7A (Ta)
Email:[email protected]

Γρήγορη Παράθεση Αίτηση

Αριθμός εξαρτήματος
Ποσότητα
Εταιρία
ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ ΔΙΕΥΘΥΝΣΗ
Τηλέφωνο
Σχόλια

Συναφών ανταλλακτικών για 2SK1058-E

Εικόνα Αριθμός εξαρτήματος Κατασκευαστές Περιγραφή Θέα
2SK0663GRL Image 2SK0663GRL Panasonic JFET N-CH 30MA 150MW SMINI-3 Έρευνα
2SK066400L Image 2SK066400L Panasonic MOSFET N-CH 50V 100MA SMINI-3 Έρευνα
2SK0664G0L Image 2SK0664G0L Panasonic MOSFET N-CH 50V 100MA SMINI-3 Έρευνα
2SK066500L Image 2SK066500L Panasonic MOSFET N-CH 20V 100MA SMINI-3 Έρευνα
2SK0615 Panasonic MOSFET N-CH 80V 500MA 3-SIP Έρευνα
2SK06620RL Image 2SK06620RL Panasonic JFET N-CH 20MA 150MW SMINI-3 Έρευνα
2SK11030QL Image 2SK11030QL Panasonic JFET N-CH 20MA 150MW MINI-3 Έρευνα
2SK060100L Image 2SK060100L Panasonic MOSFET N-CH 80V 500MA MINI-PWR Έρευνα
2SK0601G0L Image 2SK0601G0L Panasonic MOSFET N-CH 80V 0.5A MINIP-3 Έρευνα
2SK137400L Image 2SK137400L Panasonic MOSFET N-CH 50V 50MA SMINI-3 Έρευνα
2SK1339-E Image 2SK1339-E Renesas Electronics America MOSFET N-CH 900V 3A TO-3P Έρευνα
2SK122800L Image 2SK122800L Panasonic MOSFET N-CH 50V 50MA MINI 3-PIN Έρευνα
2SK1340-E Image 2SK1340-E Renesas Electronics America MOSFET N-CH 900V 5A TO-3P Έρευνα
2SK06630RL Image 2SK06630RL Panasonic JFET N-CH 30MA 150MW SMINI-3 Έρευνα
2SK1341-E Image 2SK1341-E Renesas Electronics America MOSFET N-CH 900V 6A TO-3P Έρευνα
2SK1374G0L Image 2SK1374G0L Panasonic MOSFET N-CH 50V .05A SMINI-3 Έρευνα
2SK0665G0L Image 2SK0665G0L Panasonic MOSFET N-CH 20V .1A SMINI-3 Έρευνα
2SK1317-E Image 2SK1317-E Renesas Electronics America MOSFET N-CH 1500V 2.5A TO-3P Έρευνα
2SK1342-E Image 2SK1342-E Renesas Electronics America MOSFET N-CH 900V 6A TO-3P Έρευνα
2SK1119(F) Toshiba Semiconductor and Storage MOSFET N-CH 1000V 4A TO-220AB Έρευνα

Latest Ειδήσεις