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Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - FET, MOSFET - Single > 2SK1058-E
2SK1058-E
2SK1058-E
Modèle de produit:
2SK1058-E
Fabricant:
Renesas Electronics America
La description:
MOSFET N-CH 160V 7A TO-3P
Statut sans plomb:
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité en stock:
47466 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Délai de mise en œuvre:
4-8 weeks
Fiche technique:
2SK1058-E.pdf
Enquête

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Spécifications

État New & Original, tested
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Vgs (th) (Max) @ Id:-
Vgs (Max):±15V
La technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur:TO-3P
Séries:-
Rds On (Max) @ Id, Vgs:-
Dissipation de puissance (max):100W (Tc)
Emballage:Tube
Package / Boîte:TO-3P-3, SC-65-3
Température de fonctionnement:150°C (TJ)
Type de montage:Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds:600pF @ 10V
type de FET:N-Channel
Fonction FET:-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé):-
Tension drain-source (Vdss):160V
Description détaillée:N-Channel 160V 7A (Ta) 100W (Tc) Through Hole TO-3P
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C:7A (Ta)
Email:[email protected]

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