Indonesia
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Hrvatska Ελλάδα✕
Tentang kami | Hubungi kami | Permintaan Penawaran |
Rumah > Produk > Produk Semikonduktor Diskrit > Dioda - Rectifier - Single > JAN1N5618
JAN1N5618
Nomor bagian:
JAN1N5618
Pabrikan:
Microsemi
Deskripsi:
DIODE GEN PURP 600V 1A AXIAL
Status Bebas Timbal:
Berisi timbal / RoHS tidak patuh
Jumlah stok:
43041 Pieces
Waktu pengiriman:
1-2 days
Lead time:
4-8 weeks
Lembaran data:
JAN1N5618.pdf
Penyelidikan

pengantar

JAN1N5618 tersedia sekarang!LYNTEAM Technology adalah distributor stocking untuk JAN1N5618, kami memiliki stok untuk pengiriman segera dan juga tersedia untuk pasokan waktu yang lama.Silakan kirim paket pembelian Anda untuk JAN1N5618 melalui email, kami akan memberikan harga terbaik sesuai rencana Anda.
Beli JAN1N5618 dengan LYNTEAM, hemat uang dan waktu Anda.
Email kami: [email protected]

Spesifikasi

Kondisi New & Original, tested
Negara Asal Contact us
Kode Penandaan Send by email
Tegangan - Puncak terbalik (Max):Standard
Tegangan - Forward (Vf) (Max) @ Jika:1A
Seri:Military, MIL-PRF-19500/427
Status RoHS:Bulk
Sebaliknya Pemulihan Waktu (trr):Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Resistance @ Jika, F:-
Polarisasi:A, Axial
Nama lain:1086-2108
1086-2108-MIL
Suhu Operasional - Junction:2µs
mount Jenis:Through Hole
Tingkat Sensitivitas Kelembaban (MSL):1 (Unlimited)
Manufacturer Standard Lead Time:8 Weeks
Nomor Bagian Produsen:JAN1N5618
Deskripsi yang Diperluas:Diode Standard 600V 1A Through Hole
Konfigurasi diode:500nA @ 600V
Deskripsi:DIODE GEN PURP 600V 1A AXIAL
Saat ini - Reverse Kebocoran @ Vr:1.3V @ 3A
Saat ini - rata Rectified (Io) (per Diode):600V
Kapasitansi @ Vr, F:-65°C ~ 200°C
Email:[email protected]

Cepat Permintaan Penawaran

Nomor bagian
Kuantitas
Perusahaan
E-mail
Telepon
Komentar

bagian terkait untuk JAN1N5618

Gambar Nomor bagian Produsen Deskripsi Melihat
JAN1N5618US Microsemi DIODE GEN PURP 600V 1A D5A Penyelidikan
JAN1N5617 Image JAN1N5617 Microsemi DIODE GEN PURP 400V 1A AXIAL Penyelidikan
JAN1N5614US Image JAN1N5614US Microsemi DIODE GEN PURP 200V 1A D5A Penyelidikan
JAN1N5614 Image JAN1N5614 Microsemi DIODE GEN PURP 200V 1A AXIAL Penyelidikan
JAN1N5621 Microsemi Corporation DIODE GEN PURP 800V 1A AXIAL Penyelidikan
JAN1N5623 Microsemi DIODE GEN PURP 1KV 1A AXIAL Penyelidikan
JAN1N5622 Image JAN1N5622 Microsemi DIODE GEN PURP 1KV 1A AXIAL Penyelidikan
JAN1N5616 Image JAN1N5616 Microsemi DIODE GEN PURP 400V 1A AXIAL Penyelidikan
JAN1N5619US Microsemi DIODE GEN PURP 600V 1A D5A Penyelidikan
JAN1N5615 Microsemi Corporation DIODE GEN PURP 200V 1A AXIAL Penyelidikan
JAN1N5617US Microsemi DIODE GEN PURP 400V 1A D5A Penyelidikan
JAN1N5620US Microsemi DIODE GEN PURP 800V 1A D5A Penyelidikan
JAN1N5616US Microsemi DIODE GEN PURP 400V 1A D5A Penyelidikan
JAN1N5554 Microsemi DIODE GEN PURP 1KV 3A AXIAL Penyelidikan
JAN1N5619 Image JAN1N5619 Microsemi DIODE GEN PURP 600V 1A AXIAL Penyelidikan
JAN1N5554US Image JAN1N5554US Microsemi DIODE GEN PURP 1KV 5A D5B Penyelidikan
JAN1N5621US Microsemi DIODE GEN PURP 800V 1A D5A Penyelidikan
JAN1N5622US Microsemi DIODE GEN PURP 1KV 1A D5A Penyelidikan
JAN1N5620 Image JAN1N5620 Microsemi Corporation DIODE GEN PURP 800V 1A AXIAL Penyelidikan
JAN1N5615US Image JAN1N5615US Microsemi DIODE GEN PURP 200V 1A D-5A Penyelidikan

Latest Berita