Indonesia
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Hrvatska Ελλάδα✕
Tentang kami | Hubungi kami | Permintaan Penawaran |
Rumah > Produk > Produk Semikonduktor Diskrit > Dioda - Rectifier - Single > JAN1N5621US
JAN1N5621US
Nomor bagian:
JAN1N5621US
Pabrikan:
Microsemi
Deskripsi:
DIODE GEN PURP 800V 1A D5A
Status Bebas Timbal:
Berisi timbal / RoHS tidak patuh
Jumlah stok:
47773 Pieces
Waktu pengiriman:
1-2 days
Lead time:
4-8 weeks
Lembaran data:
JAN1N5621US.pdf
Penyelidikan

pengantar

JAN1N5621US tersedia sekarang!LYNTEAM Technology adalah distributor stocking untuk JAN1N5621US, kami memiliki stok untuk pengiriman segera dan juga tersedia untuk pasokan waktu yang lama.Silakan kirim paket pembelian Anda untuk JAN1N5621US melalui email, kami akan memberikan harga terbaik sesuai rencana Anda.
Beli JAN1N5621US dengan LYNTEAM, hemat uang dan waktu Anda.
Email kami: [email protected]

Spesifikasi

Kondisi New & Original, tested
Negara Asal Contact us
Kode Penandaan Send by email
Tegangan - Forward (Vf) (Max) @ Jika:1.6V @ 3A
Tegangan - DC terbalik (Vr) (Max):800V
Paket Perangkat pemasok:D-5A
Kecepatan:Fast Recovery = 200mA (Io)
Seri:Military, MIL-PRF-19500/429
Sebaliknya Pemulihan Waktu (trr):300ns
Pengemasan:Bulk
Paket / Case:SQ-MELF, A
Nama lain:1086-2113
1086-2113-MIL
Suhu Operasional - Junction:-65°C ~ 175°C
mount Jenis:Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL):1 (Unlimited)
Status Gratis Memimpin / Status RoHS:Contains lead / RoHS non-compliant
diode Jenis:Standard
Detil Deskripsi:Diode Standard 800V 1A Surface Mount D-5A
Saat ini - Reverse Kebocoran @ Vr:500nA @ 800V
Saat ini - rata Rectified (Io):1A
Kapasitansi @ Vr, F:-
Email:[email protected]

Cepat Permintaan Penawaran

Nomor bagian
Kuantitas
Perusahaan
E-mail
Telepon
Komentar

bagian terkait untuk JAN1N5621US

Gambar Nomor bagian Produsen Deskripsi Melihat
JAN1N5618 Microsemi Corporation DIODE GEN PURP 600V 1A AXIAL Penyelidikan
JAN1N5616US Microsemi DIODE GEN PURP 400V 1A D5A Penyelidikan
JAN1N5623 Microsemi DIODE GEN PURP 1KV 1A AXIAL Penyelidikan
JAN1N5711UR-1 Image JAN1N5711UR-1 Microsemi DIODE SCHOTTKY 70V 33MA DO213AA Penyelidikan
JAN1N5804 Microsemi DIODE GEN PURP 100V 2.5A AXIAL Penyelidikan
JAN1N5623US Microsemi DIODE GEN PURP 1KV 1A D5A Penyelidikan
JAN1N5617 Image JAN1N5617 Microsemi DIODE GEN PURP 400V 1A AXIAL Penyelidikan
JAN1N5622 Image JAN1N5622 Microsemi DIODE GEN PURP 1KV 1A AXIAL Penyelidikan
JAN1N5619US Microsemi DIODE GEN PURP 600V 1A D5A Penyelidikan
JAN1N5622US Microsemi DIODE GEN PURP 1KV 1A D5A Penyelidikan
JAN1N5802 Microsemi DIODE GEN PURP 50V 2.5A AXIAL Penyelidikan
JAN1N5620US Microsemi DIODE GEN PURP 800V 1A D5A Penyelidikan
JAN1N5618US Microsemi DIODE GEN PURP 600V 1A D5A Penyelidikan
JAN1N5619 Image JAN1N5619 Microsemi DIODE GEN PURP 600V 1A AXIAL Penyelidikan
JAN1N5621 Microsemi Corporation DIODE GEN PURP 800V 1A AXIAL Penyelidikan
JAN1N5802US Image JAN1N5802US Microsemi DIODE GEN PURP 50V 2.5A D5A Penyelidikan
JAN1N5711-1 Image JAN1N5711-1 Microsemi DIODE SCHOTTKY 70V 33MA DO35 Penyelidikan
JAN1N5802URS Microsemi DIODE GEN PURP 50V 1A APKG Penyelidikan
JAN1N5617US Microsemi DIODE GEN PURP 400V 1A D5A Penyelidikan
JAN1N5620 Image JAN1N5620 Microsemi Corporation DIODE GEN PURP 800V 1A AXIAL Penyelidikan

Latest Berita