IPI147N12N3GAKSA1 tersedia sekarang!LYNTEAM Technology adalah distributor stocking untuk IPI147N12N3GAKSA1, kami memiliki stok untuk pengiriman segera dan juga tersedia untuk pasokan waktu yang lama.Silakan kirim paket pembelian Anda untuk IPI147N12N3GAKSA1 melalui email, kami akan memberikan harga terbaik sesuai rencana Anda.
Beli IPI147N12N3GAKSA1 dengan LYNTEAM, hemat uang dan waktu Anda.
Email kami: [email protected]
IPI147N12N3GAKSA1
- Nomor bagian:
- IPI147N12N3GAKSA1
- Deskripsi:
- MOSFET N-CH 120V 56A TO262-3
- Status Bebas Timbal:
- Memimpin bebas / RoHS Compliant
- Jumlah stok:
- 46782 Pieces
- Waktu pengiriman:
- 1-2 days
- Lead time:
- 4-8 weeks
- Lembaran data:
- IPI147N12N3GAKSA1.pdf
pengantar
Spesifikasi
| Kondisi | New & Original, tested |
|---|---|
| Negara Asal | Contact us |
| Kode Penandaan | Send by email |
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 4V @ 61µA |
| Vgs (Max): | ±20V |
| Teknologi: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Paket Perangkat pemasok: | PG-TO262-3 |
| Seri: | OptiMOS™ |
| Rds Pada (Max) @ Id, Vgs: | 14.7 mOhm @ 56A, 10V |
| Power Disipasi (Max): | 107W (Tc) |
| Pengemasan: | Tube |
| Paket / Case: | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| Nama lain: | IPI147N12N3 G IPI147N12N3 G-ND IPI147N12N3G SP000652744 |
| Suhu Operasional: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| mount Jenis: | Through Hole |
| Moisture Sensitivity Level (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Status Gratis Memimpin / Status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Kapasitansi Masukan (Ciss) (Max) @ VDS: | 3220pF @ 60V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 49nC @ 10V |
| FET Jenis: | N-Channel |
| Fitur FET: | - |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min RDS Aktif): | 10V |
| Tiriskan untuk Sumber Tegangan (Vdss): | 120V |
| Detil Deskripsi: | N-Channel 120V 56A (Ta) 107W (Tc) Through Hole PG-TO262-3 |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25 ° C: | 56A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
bagian terkait untuk IPI147N12N3GAKSA1
Latest Berita
- Laporan keuangan kuartal pertama dari SEF Semiconductor (ST) berkurang, dan permintaan mobil telah melambat
- Kinerja Texas Instruments masih harus didorong, dan dua pabrik penyimpanan mendorong produk memori flash baru
- Volume chip matang lokal, Samsung Nand Flash Memory Production Kapasitas dekat beban
- Vishay Meluncurkan Kemasan Terganggu Kecerahan Tinggi Biru Kecil dan Hijau Murni LED
- Ansonmei meluncurkan sensor posisi induktif untuk pasar industri dan transportasi
- Ruisa memulai pabrik lama untuk meningkatkan perangkat daya, gempa mempengaruhi output dram ringan
- Microchip memungkinkan kapasitas produksi TSMC dan kenaikan harga
- Ruisa meluncurkan entri daya Ultra -Low -Level Series RA0
- Melexis meluncurkan chip sakelar induktor terintegrasi penuh
- X-FAB Memperkenalkan Teknologi Sensor Back Sensor untuk Meningkatkan Kinerja Sensor CMOS
- Pabrik chip besar dipengaruhi oleh gempa bumi: TSMC berhenti bekerja segera, memperburuk pasokan GPU dalam pasokan pendek?
- Memori nand flash berlanjut, mcu destocking bount benar