IPI147N12N3GAKSA1 ist jetzt verfügbar!Die LYNTEAM-Technologie ist der Bestandsverteiler für IPI147N12N3GAKSA1, wir haben die Aktien für den sofortigen Versand und auch für lange Zeit verfügbar.Bitte senden Sie uns Ihren Kaufplan für IPI147N12N3GAKSA1 per E-Mail, wir geben Ihnen einen besten Preis nach Ihrem Plan.
Kaufen Sie IPI147N12N3GAKSA1 mit LYNTEAM, sparen Sie Ihr Geld und Ihre Zeit.
Unsere E-Mail: [email protected]
IPI147N12N3GAKSA1
- Artikelnummer:
- IPI147N12N3GAKSA1
- Beschreibung:
- MOSFET N-CH 120V 56A TO262-3
- Lead Free Status:
- Bleifrei / RoHS-konform
- Bestandsmenge:
- 46782 Pieces
- Lieferzeit:
- 1-2 days
- Vorlaufzeit:
- 4-8 weeks
- Datenblatt:
- IPI147N12N3GAKSA1.pdf
Einführung
Spezifikation
| Bedingung | New & Original, tested |
|---|---|
| Ursprungsland | Contact us |
| Markierungscode | Send by email |
| VGS (th) (Max) @ Id: | 4V @ 61µA |
| Vgs (Max): | ±20V |
| Technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse: | PG-TO262-3 |
| Serie: | OptiMOS™ |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 14.7 mOhm @ 56A, 10V |
| Verlustleistung (max): | 107W (Tc) |
| Verpackung: | Tube |
| Verpackung / Gehäuse: | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| Andere Namen: | IPI147N12N3 G IPI147N12N3 G-ND IPI147N12N3G SP000652744 |
| Betriebstemperatur: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Befestigungsart: | Through Hole |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Bleifreier Status / RoHS-Status: | Lead free / RoHS Compliant |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds: | 3220pF @ 60V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 49nC @ 10V |
| Typ FET: | N-Channel |
| FET-Merkmal: | - |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): | 10V |
| Drain-Source-Spannung (Vdss): | 120V |
| detaillierte Beschreibung: | N-Channel 120V 56A (Ta) 107W (Tc) Through Hole PG-TO262-3 |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C: | 56A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
In Verbindung stehende Teile für IPI147N12N3GAKSA1
läst Nachrichten
- Die Leistung von Texas Instruments muss noch gesteigert werden, und die beiden Speicherfabriken schieben neue Flash -Speicherprodukte
- Lokales reife Chipvolumen, Samsung Nand Flash -Speicherproduktionskapazität in der Nähe von Last
- Vishay startet eine minilierte Verpackung hoher Helligkeit kleiner blau und rein grün
- Ansonmei startete einen induktiven Positionssensor für den Industrie- und Transportmarkt
- Ruisa beginnt die alte Fabrik, um das Stromgerät zu erhöhen. Das Erdbeben beeinflusst die Dram -Output mild
- Mikrochip ermöglicht die Produktionskapazität von TSMC und erhöht die Preiserhöhungen
- Ruisa hat die neue Ra0 -Serie Ultra -Low Power Entry -Level MCU gestartet
- MELEXIS startet einen integrierten Induktorschalter -Chip
- X-FAB führt die Back-Illumination-Technologie für Bildsensor ein, um die CMOS-Sensorleistung zu verbessern
- Die große Chip -Fabrik wurde vom Erdbeben betroffen: TSMC hat dringend aufgehört zu arbeiten und die GPU -Versorgung kurzerhalt zu verschärfen?
- NAND Flash Memor
- Unter dem AI -Luftverkehr sind die beiden großen Chipgiganten "nicht stark": Das Geld, um das Spiel zu brechen, wette auf 2025 Teamschlachten