IPI147N12N3GAKSA1 je nyní k dispozici!Technologie LYNTEAM je distributorem skladování pro IPI147N12N3GAKSA1, máme akcie pro okamžitou dopravu a také k dispozici pro dlouhodobé dodávky.Prosím, pošlete nám svůj kupní plán pro IPI147N12N3GAKSA1 e-mailem, dáme vám nejlepší cenu podle vašeho plánu.
Kupte si IPI147N12N3GAKSA1 s LYNTEAM, uložte své peníze a čas.
Náš email: [email protected]
IPI147N12N3GAKSA1
- Part Number:
- IPI147N12N3GAKSA1
- Popis:
- MOSFET N-CH 120V 56A TO262-3
- Vedoucí volný stav:
- Bez olova / V souladu RoHS
- Množství zásob:
- 46782 Pieces
- Čas doručení:
- 1-2 days
- Dodací lhůta:
- 4-8 weeks
- Datový list:
- IPI147N12N3GAKSA1.pdf
Úvod
Specifikace
| Stav | New & Original, tested |
|---|---|
| Země původu | Contact us |
| Označovací kód | Send by email |
| Vgs (th) (max) 'Id: | 4V @ 61µA |
| Vgs (Max): | ±20V |
| Technika: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Dodavatel zařízení Package: | PG-TO262-3 |
| Série: | OptiMOS™ |
| RDS On (Max) @ Id, Vgs: | 14.7 mOhm @ 56A, 10V |
| Ztráta energie (Max): | 107W (Tc) |
| Obal: | Tube |
| Paket / krabice: | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| Ostatní jména: | IPI147N12N3 G IPI147N12N3 G-ND IPI147N12N3G SP000652744 |
| Provozní teplota: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Typ montáže: | Through Hole |
| Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Stav volného vedení / RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds: | 3220pF @ 60V |
| Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs: | 49nC @ 10V |
| Typ FET: | N-Channel |
| FET Feature: | - |
| Napětí měniče (max. Zap. RDS, min. Zap. Zap.): | 10V |
| Drain na zdroj napětí (Vdss): | 120V |
| Detailní popis: | N-Channel 120V 56A (Ta) 107W (Tc) Through Hole PG-TO262-3 |
| Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C: | 56A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
Související díly pro IPI147N12N3GAKSA1
Latest News
- Moels Micro Electronics zřídila nové kanceláře na Tchaj -wanu v Číně, aby rozšířila obchodní území
- Výkon texaských nástrojů je třeba ještě posílit a dvě úložné továrny tlačí nové produkty Flash Memory
- Finanční zpráva prvního čtvrtletí SEF Semiconductor (ST) se snižuje a poptávka po automobilech se zpomalila
- Výkon texaských nástrojů je třeba ještě posílit a dvě úložné továrny tlačí nové produkty Flash Memory
- Místní zralý objem čipu, Samsung Nand Flash Memory Production Capaciption blízko zatížení
- Vishay uvádí na trh Miniled Balení s vysokým jasem Malá modrá a čistě zelená LED
- Ansonmei spustila induktivní snímač pozice pro trh průmyslového a dopravy
- Ruisa zahajuje starou továrnu, aby zvýšila napájecí zařízení, zemětřesení ovlivňuje výstup DRAM mírný
- Mikročip umožňuje výrobní kapacitu TSMC a zvyšuje zvyšování cen
- Ruisa spustila novou řadu RA0 série Ultra -Low Power Entry -level MCU
- Melexis spustí plně integrovaný čip přepínače
- X-Fab zavádí technologii osvětlení zpětného osvětlení obrázků pro zvýšení výkonu senzoru CMOS