FDN5618P_G
Nomor bagian:
FDN5618P_G
Pabrikan:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Deskripsi:
INTEGRATED CIRCUIT
Status Bebas Timbal:
Memimpin bebas / RoHS Compliant
Jumlah stok:
24757 Pieces
Waktu pengiriman:
1-2 days
Lead time:
4-8 weeks
Lembaran data:
FDN5618P_G.pdf

pengantar

FDN5618P_G tersedia sekarang!LYNTEAM Technology adalah distributor stocking untuk FDN5618P_G, kami memiliki stok untuk pengiriman segera dan juga tersedia untuk pasokan waktu yang lama.Silakan kirim paket pembelian Anda untuk FDN5618P_G melalui email, kami akan memberikan harga terbaik sesuai rencana Anda.
Beli FDN5618P_G dengan LYNTEAM, hemat uang dan waktu Anda.
Email kami: [email protected]

Spesifikasi

Kondisi New & Original, tested
Negara Asal Contact us
Kode Penandaan Send by email
Vgs (th) (Max) @ Id:3V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
Teknologi:MOSFET (Metal Oxide)
Paket Perangkat pemasok:SuperSOT-3
Seri:PowerTrench®
Rds Pada (Max) @ Id, Vgs:170 mOhm @ 1.25A, 10V
Power Disipasi (Max):500mW (Ta)
Pengemasan:Bulk
Paket / Case:TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Suhu Operasional:-55°C ~ 150°C (TJ)
mount Jenis:Surface Mount
Status Gratis Memimpin / Status RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Kapasitansi Masukan (Ciss) (Max) @ VDS:430pF @ 30V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:13.8nC @ 10V
FET Jenis:P-Channel
Fitur FET:-
Drive Voltage (Max Rds On, Min RDS Aktif):4.5V, 10V
Tiriskan untuk Sumber Tegangan (Vdss):60V
Detil Deskripsi:P-Channel 60V 1.25A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount SuperSOT-3
Current - Continuous Drain (Id) @ 25 ° C:1.25A (Ta)
Email:[email protected]

Cepat Permintaan Penawaran

Nomor bagian
Kuantitas
Perusahaan
E-mail
Telepon
Komentar