Az SI3453DV-T1-GE3 most elérhető!Az LYNTEAM technológia az SI3453DV-T1-GE3 állományelosztója, az azonnali szállításra és hosszú ideig rendelkezésre álló készletek is rendelkezésre állnak.Kérjük, küldje elvásárlásitervetSI3453DV-T1-GE3e-mailben,akkor kapszegylegjobb ár szerinta tervet.
Vásároljon SI3453DV-T1-GE3 LYNTEAM-vel, takarítson meg pénzt és időt.
E-mailünk: [email protected]
SI3453DV-T1-GE3
- Cikkszám:
- SI3453DV-T1-GE3
- Gyártó:
- Electro-Films (EFI) / Vishay
- Leírás:
- MOSFET P-CHANNEL 30V 3.4A 6TSOP
- Készlet mennyiség:
- 42844 Pieces
- Szállítási idő:
- 1-2 days
- Vezetői idő:
- 4-8 weeks
- Adatlap:
- SI3453DV-T1-GE3.pdf
Bevezetés
Műszaki adatok
| Feltétel | New & Original, tested |
|---|---|
| Származási ország | Contact us |
| Jelölési kód | Send by email |
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 2.5V @ 250µA |
| Vgs (Max): | ±20V |
| Technológia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Szállító eszközcsomag: | 6-TSOP |
| Sorozat: | - |
| RDS bekapcsolva (Max) @ Id, Vgs: | 165 mOhm @ 2.5A, 10V |
| Teljesítményleadás (Max): | 3W (Tc) |
| Csomagolás: | Tape & Reel (TR) |
| Csomagolás / tok: | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| Üzemi hőmérséklet: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Szerelési típus: | Surface Mount |
| Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds: | 155pF @ 15V |
| Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs: | 6.8nC @ 10V |
| FET típus: | P-Channel |
| FET funkció: | - |
| Hajtás feszültség (Max Rds bekapcsolva, Min Rds bekapcsolva): | 4.5V, 10V |
| Leeresztés a forrásfeszültséghez (Vdss): | 30V |
| Részletes leírás: | P-Channel 30V 3.4A (Tc) 3W (Tc) Surface Mount 6-TSOP |
| Áram - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: | 3.4A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
Kapcsolódó alkatrészek az SI3453DV-T1-GE3-hoz
Latest News
- Pletykálják, hogy a Samsung és az SK Hynix megállította a DDR3 -t, és a promóciós idézet 20 % -kal emelkedett
- A Melexis kiadta az MLX90427 -et: Vonalvezérlés az új választáshoz, biztonságos, hatékony és gazdaságos
- Az NXP és az Ansonmei pénzügyi jelentése bejelentette, és a rézárak árát továbbítják az IC -ipar számára
- A Moels Micro Electronics új irodákat hozott létre Tajvanon, Kínában, hogy kibővítse az üzleti területet
- A Texas Instruments teljesítményét még meg kell növelni, és a két tárolóüzem új flash memória termékeket nyom be
- A SEF Semiconductor (ST) első negyedévi pénzügyi jelentése csökken, és az autók iránti kereslet lelassult
- A Texas Instruments teljesítményét még meg kell növelni, és a két tárolóüzem új flash memória termékeket nyom be
- Helyi érett chipmennyiség, Samsung Nand flash memória előállítási kapacitása a terhelés közelében
- Vishay elindítja a minilált csomagolást, a kis fényesség kis és tiszta zöld LED -jét
- Ansonmei induktív pozícióérzékelőt indított az ipari és szállítási piacra
- Ruisa elindítja a régi gyárat, hogy növelje az energiaeszközt, a földrengés enyhe kimenetet érint
- A mikrochip lehetővé teszi a TSMC termelési kapacitását és növeli az áremelkedéseket