Az R6011ENJTL most elérhető!Az LYNTEAM technológia az R6011ENJTL állományelosztója, az azonnali szállításra és hosszú ideig rendelkezésre álló készletek is rendelkezésre állnak.Kérjük, küldje elvásárlásitervetR6011ENJTLe-mailben,akkor kapszegylegjobb ár szerinta tervet.
Vásároljon R6011ENJTL LYNTEAM-vel, takarítson meg pénzt és időt.
E-mailünk: [email protected]
R6011ENJTL
- Cikkszám:
- R6011ENJTL
- Gyártó:
- LAPIS Semiconductor
- Leírás:
- MOSFET N-CH 600V 11A LPT
- Ólommentes állapot:
- Ólommentes / RoHS megfelelő
- Készlet mennyiség:
- 31256 Pieces
- Szállítási idő:
- 1-2 days
- Vezetői idő:
- 4-8 weeks
- Adatlap:
- 1.R6011ENJTL.pdf2.R6011ENJTL.pdf
Bevezetés
Műszaki adatok
| Feltétel | New & Original, tested |
|---|---|
| Származási ország | Contact us |
| Jelölési kód | Send by email |
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 4V @ 1mA |
| Vgs (Max): | ±20V |
| Technológia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Szállító eszközcsomag: | LPTS (D2PAK) |
| Sorozat: | - |
| RDS bekapcsolva (Max) @ Id, Vgs: | 390 mOhm @ 3.8A, 10V |
| Teljesítményleadás (Max): | 40W (Tc) |
| Csomagolás: | Tape & Reel (TR) |
| Csomagolás / tok: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Más nevek: | R6011ENJTLTR |
| Üzemi hőmérséklet: | 150°C (TJ) |
| Szerelési típus: | Surface Mount |
| Nedvességérzékenységi szint (MSL): | 1 (Unlimited) |
| A gyártó szabványos leadási ideje: | 17 Weeks |
| Ólommentes állapot / RoHS állapot: | Lead free / RoHS Compliant |
| Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds: | 670pF @ 25V |
| Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs: | 32nC @ 10V |
| FET típus: | N-Channel |
| FET funkció: | - |
| Hajtás feszültség (Max Rds bekapcsolva, Min Rds bekapcsolva): | 10V |
| Leeresztés a forrásfeszültséghez (Vdss): | 600V |
| Részletes leírás: | N-Channel 600V 11A (Tc) 40W (Tc) Surface Mount LPTS (D2PAK) |
| Áram - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: | 11A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
Kapcsolódó alkatrészek az R6011ENJTL-hoz
| Kép | Cikkszám | Gyártók | Leírás | Kilátás |
|---|---|---|---|---|
 |
R6012ANX | LAPIS Semiconductor | MOSFET N-CH 600V 12A TO-220FM | Vizsgálat |
 |
R6012425XXYA | Powerex, Inc. | DIODE GEN PURP 2.4KV 250A DO205 | Vizsgálat |
|
R6011625XXYA | Powerex, Inc. | DIODE GEN PURP 1.6KV 250A DO205 | Vizsgálat |
 |
R6011KNJTL | LAPIS Semiconductor | MOSFET N-CHANNEL 600V 11A TO263 | Vizsgálat |
|
R6012ANJTL | LAPIS Semiconductor | MOSFET N-CH 10V DRIVE LPTS | Vizsgálat |
|
R6011KNX | LAPIS Semiconductor | MOSFET N-CH 600V 11A TO220FM | Vizsgálat |
|
R6011630XXYA | Powerex, Inc. | DIODE GEN PURP 1.6KV 300A DO205 | Vizsgálat |
|
R6012625XXYA | Powerex, Inc. | DIODE GEN PURP 2.6KV 250A DO205 | Vizsgálat |
|
R6011030XXYA | Powerex, Inc. | RECTIFIER STUD MOUNT REVERSE DO- | Vizsgálat |
|
R6011225XXYA | Powerex, Inc. | DIODE GEN PURP 1.2KV 250A DO205 | Vizsgálat |
|
R6011025XXYA | Powerex, Inc. | RECTIFIER STUD MOUNT REVERSE DO- | Vizsgálat |
|
R6012225XXYA | Powerex, Inc. | DIODE GEN PURP 2.2KV 250A DO205 | Vizsgálat |
|
R6011230XXYA | Powerex, Inc. | DIODE GEN PURP 1.2KV 300A DO205 | Vizsgálat |
|
R6011425XXYA | Powerex, Inc. | DIODE GEN PURP 1.4KV 250A DO205 | Vizsgálat |
|
R6011830XXYA | Powerex, Inc. | DIODE GEN PURP 1.8KV 300A DO205 | Vizsgálat |
|
R6011430XXYA | Powerex, Inc. | DIODE GEN PURP 1.4KV 300A DO205 | Vizsgálat |
|
R6011825XXYA | Powerex, Inc. | DIODE GEN PURP 1.8KV 250A DO205 | Vizsgálat |
|
R6012025XXYA | Powerex, Inc. | DIODE GEN PURP 2KV 250A DO205 | Vizsgálat |
|
R6012030XXYA | Powerex, Inc. | DIODE GEN PURP 2KV 300A DO205 | Vizsgálat |
|
R6011ENX | LAPIS Semiconductor | MOSFET N-CH 600V 11A TO220 | Vizsgálat |
Latest News
- A Micron terve egy gyári, NAND flash memória magas áron vagy karbantartáson történő felépítésére irányuló terve
- Az ADI teljesítménye csökken, a rézfólia -szubsztrátok emelkedtek, az eredeti gyár tárolása növekvő termelési konzervatív
- Jön az intelligencia hulláma az autóban, és Aimus Oslang segített Sagita Juguang felszabadítani az MX Lidar -ot
- A HBM termelési kapacitása ki van zárva, a DRAM memória az év második felében hiányos lehet
- A fali alapítók véget érnek, a HBM vagy a DRAM ismét felemelkedése
- AI mobiltelefon- és PC bővítési igény, globális félvezető gyártási ipar fejlesztése
- Értse meg az ADAS és a kabin -megfigyelő rendszerek igényeit a hálózati biztonsági képérzékelők számára
- Pletykálják, hogy a Samsung és az SK Hynix megállította a DDR3 -t, és a promóciós idézet 20 % -kal emelkedett
- A Melexis kiadta az MLX90427 -et: Vonalvezérlés az új választáshoz, biztonságos, hatékony és gazdaságos
- Az NXP és az Ansonmei pénzügyi jelentése bejelentette, és a rézárak árát továbbítják az IC -ipar számára
- A Moels Micro Electronics új irodákat hozott létre Tajvanon, Kínában, hogy kibővítse az üzleti területet
- A Texas Instruments teljesítményét még meg kell növelni, és a két tárolóüzem új flash memória termékeket nyom be