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R6011ENJTL
- Artikelnummer:
- R6011ENJTL
- Hersteller:
- LAPIS Semiconductor
- Beschreibung:
- MOSFET N-CH 600V 11A LPT
- Lead Free Status:
- Bleifrei / RoHS-konform
- Bestandsmenge:
- 31256 Pieces
- Lieferzeit:
- 1-2 days
- Vorlaufzeit:
- 4-8 weeks
- Datenblatt:
- 1.R6011ENJTL.pdf2.R6011ENJTL.pdf
Einführung
Spezifikation
| Bedingung | New & Original, tested |
|---|---|
| Ursprungsland | Contact us |
| Markierungscode | Send by email |
| VGS (th) (Max) @ Id: | 4V @ 1mA |
| Vgs (Max): | ±20V |
| Technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse: | LPTS (D2PAK) |
| Serie: | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 390 mOhm @ 3.8A, 10V |
| Verlustleistung (max): | 40W (Tc) |
| Verpackung: | Tape & Reel (TR) |
| Verpackung / Gehäuse: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Andere Namen: | R6011ENJTLTR |
| Betriebstemperatur: | 150°C (TJ) |
| Befestigungsart: | Surface Mount |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Hersteller Standard Vorlaufzeit: | 17 Weeks |
| Bleifreier Status / RoHS-Status: | Lead free / RoHS Compliant |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds: | 670pF @ 25V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 32nC @ 10V |
| Typ FET: | N-Channel |
| FET-Merkmal: | - |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): | 10V |
| Drain-Source-Spannung (Vdss): | 600V |
| detaillierte Beschreibung: | N-Channel 600V 11A (Tc) 40W (Tc) Surface Mount LPTS (D2PAK) |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C: | 11A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
In Verbindung stehende Teile für R6011ENJTL
| Image | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Aussicht |
|---|---|---|---|---|
 |
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 |
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R6011625XXYA | Powerex, Inc. | DIODE GEN PURP 1.6KV 250A DO205 | Anfrage |
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R6012ANJTL | LAPIS Semiconductor | MOSFET N-CH 10V DRIVE LPTS | Anfrage |
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R6011KNX | LAPIS Semiconductor | MOSFET N-CH 600V 11A TO220FM | Anfrage |
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R6011630XXYA | Powerex, Inc. | DIODE GEN PURP 1.6KV 300A DO205 | Anfrage |
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R6012625XXYA | Powerex, Inc. | DIODE GEN PURP 2.6KV 250A DO205 | Anfrage |
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R6011030XXYA | Powerex, Inc. | RECTIFIER STUD MOUNT REVERSE DO- | Anfrage |
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R6011225XXYA | Powerex, Inc. | DIODE GEN PURP 1.2KV 250A DO205 | Anfrage |
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R6011025XXYA | Powerex, Inc. | RECTIFIER STUD MOUNT REVERSE DO- | Anfrage |
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R6012225XXYA | Powerex, Inc. | DIODE GEN PURP 2.2KV 250A DO205 | Anfrage |
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R6011230XXYA | Powerex, Inc. | DIODE GEN PURP 1.2KV 300A DO205 | Anfrage |
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R6011425XXYA | Powerex, Inc. | DIODE GEN PURP 1.4KV 250A DO205 | Anfrage |
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R6011830XXYA | Powerex, Inc. | DIODE GEN PURP 1.8KV 300A DO205 | Anfrage |
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R6011430XXYA | Powerex, Inc. | DIODE GEN PURP 1.4KV 300A DO205 | Anfrage |
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R6011825XXYA | Powerex, Inc. | DIODE GEN PURP 1.8KV 250A DO205 | Anfrage |
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R6012025XXYA | Powerex, Inc. | DIODE GEN PURP 2KV 250A DO205 | Anfrage |
|
R6012030XXYA | Powerex, Inc. | DIODE GEN PURP 2KV 300A DO205 | Anfrage |
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