R6011ENJTL متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل R6011ENJTL، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل R6011ENJTL عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء R6011ENJTL مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
R6011ENJTL
- رقم القطعة:
- R6011ENJTL
- الصانع:
- LAPIS Semiconductor
- وصف:
- MOSFET N-CH 600V 11A LPT
- حالة خالية من الرصاص:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 31256 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- 1.R6011ENJTL.pdf2.R6011ENJTL.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 4V @ 1mA |
| فغس (ماكس): | ±20V |
| تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
| تجار الأجهزة حزمة: | LPTS (D2PAK) |
| سلسلة: | - |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 390 mOhm @ 3.8A, 10V |
| تبديد الطاقة (ماكس): | 40W (Tc) |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| اسماء اخرى: | R6011ENJTLTR |
| درجة حرارة التشغيل: | 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 17 Weeks |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Lead free / RoHS Compliant |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 670pF @ 25V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 32nC @ 10V |
| نوع FET: | N-Channel |
| FET الميزة: | - |
| محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على): | 10V |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 600V |
| وصف تفصيلي: | N-Channel 600V 11A (Tc) 40W (Tc) Surface Mount LPTS (D2PAK) |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 11A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لR6011ENJTL
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
R6012ANX | LAPIS Semiconductor | MOSFET N-CH 600V 12A TO-220FM | تحقيق |
 |
R6012425XXYA | Powerex, Inc. | DIODE GEN PURP 2.4KV 250A DO205 | تحقيق |
|
R6011625XXYA | Powerex, Inc. | DIODE GEN PURP 1.6KV 250A DO205 | تحقيق |
 |
R6011KNJTL | LAPIS Semiconductor | MOSFET N-CHANNEL 600V 11A TO263 | تحقيق |
|
R6012ANJTL | LAPIS Semiconductor | MOSFET N-CH 10V DRIVE LPTS | تحقيق |
|
R6011KNX | LAPIS Semiconductor | MOSFET N-CH 600V 11A TO220FM | تحقيق |
|
R6011630XXYA | Powerex, Inc. | DIODE GEN PURP 1.6KV 300A DO205 | تحقيق |
|
R6012625XXYA | Powerex, Inc. | DIODE GEN PURP 2.6KV 250A DO205 | تحقيق |
|
R6011030XXYA | Powerex, Inc. | RECTIFIER STUD MOUNT REVERSE DO- | تحقيق |
|
R6011225XXYA | Powerex, Inc. | DIODE GEN PURP 1.2KV 250A DO205 | تحقيق |
|
R6011025XXYA | Powerex, Inc. | RECTIFIER STUD MOUNT REVERSE DO- | تحقيق |
|
R6012225XXYA | Powerex, Inc. | DIODE GEN PURP 2.2KV 250A DO205 | تحقيق |
|
R6011230XXYA | Powerex, Inc. | DIODE GEN PURP 1.2KV 300A DO205 | تحقيق |
|
R6011425XXYA | Powerex, Inc. | DIODE GEN PURP 1.4KV 250A DO205 | تحقيق |
|
R6011830XXYA | Powerex, Inc. | DIODE GEN PURP 1.8KV 300A DO205 | تحقيق |
|
R6011430XXYA | Powerex, Inc. | DIODE GEN PURP 1.4KV 300A DO205 | تحقيق |
|
R6011825XXYA | Powerex, Inc. | DIODE GEN PURP 1.8KV 250A DO205 | تحقيق |
|
R6012025XXYA | Powerex, Inc. | DIODE GEN PURP 2KV 250A DO205 | تحقيق |
|
R6012030XXYA | Powerex, Inc. | DIODE GEN PURP 2KV 300A DO205 | تحقيق |
|
R6011ENX | LAPIS Semiconductor | MOSFET N-CH 600V 11A TO220 | تحقيق |
Latest الأخبار
- موجة الذكاء في السيارة قادمة ، وساعد Aimus Oslang ساجيتا Juguang في إطلاق MX Lidar
- يتم استبعاد طاقة إنتاج HBM ، وقد تكون ذاكرة DRAM مختصرة في النصف الثاني من العام
- سينتهي مؤسسو الجدران أو HBM أو يتسبب في ارتفاع DRAM مرة أخرى
- الطلب على الهاتف المحمول وتوسيع أجهزة الكمبيوتر الشخصية ، تحسين صناعة تصنيع أشباه الموصلات العالمية
- فهم احتياجات أنظمة مراقبة ADAS وأنظمة المقصورة لأجهزة استشعار صور أمان الشبكة
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC
- أنشأت Moels Micro Electronics مكاتب جديدة في تايوان ، الصين لتوسيع أراضي العمل
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- يتناقص التقرير المالي للربع الأول من SEF Semiconductor (ST) ، وتباطأ الطلب على السيارات
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة