Az PFE5KR250 most elérhető!Az LYNTEAM technológia az PFE5KR250 állományelosztója, az azonnali szállításra és hosszú ideig rendelkezésre álló készletek is rendelkezésre állnak.Kérjük, küldje elvásárlásitervetPFE5KR250e-mailben,akkor kapszegylegjobb ár szerinta tervet.
Vásároljon PFE5KR250 LYNTEAM-vel, takarítson meg pénzt és időt.
E-mailünk: [email protected]
PFE5KR250
- Cikkszám:
- PFE5KR250
- Gyártó:
- Ohmite
- Leírás:
- RES CHAS MNT 0.25 OHM 10% 992W
- Ólommentes állapot:
- Ólom / RoHS nem megfelelő
- Készlet mennyiség:
- 54473 Pieces
- Szállítási idő:
- 1-2 days
- Vezetői idő:
- 4-8 weeks
- Adatlap:
- PFE5KR250.pdf
Bevezetés
Műszaki adatok
| Feltétel | New & Original, tested |
|---|---|
| Származási ország | Contact us |
| Jelölési kód | Send by email |
| Tolerancia: | ±10% |
| Hőmérsékleti együttható: | ±300ppm/°C |
| Méret / dimenzió: | - |
| Sorozat: | Powr-Rib®PFE |
| Ellenállás: | 250 mOhms |
| Teljesítmény (Watt): | 992W |
| Csomagolás: | Bulk |
| Csomagolás / tok: | Radial, Tubular |
| Üzemi hőmérséklet: | -55°C ~ 350°C |
| Felszerelési funkció: | Brackets |
| Nedvességérzékenységi szint (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Lead Stílus: | Solder Lugs |
| Ólommentes állapot / RoHS állapot: | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Magasság - Ülés (Max): | - |
| Jellemzők: | - |
| Hibázási ráta: | - |
| Részletes leírás: | 250 mOhms ±10% 992W Wirewound Chassis Mount Resistor |
| Összetétel: | Wirewound |
| Bevonat, ház típus: | Ceramic |
| Email: | [email protected] |
Kapcsolódó alkatrészek az PFE5KR250-hoz
| Kép | Cikkszám | Gyártók | Leírás | Kilátás |
|---|---|---|---|---|
 |
PFE5KR160 | Ohmite | RES CHAS MNT 0.16 OHM 10% 973W | Vizsgálat |
|
PFE5KR330 | Ohmite | RES CHAS MNT 0.33 OHM 10% 962W | Vizsgálat |
|
PFE5KR250E | Ohmite | RES CHAS MNT 0.25 OHM 10% 992W | Vizsgálat |
|
PFE5KR140 | Ohmite | RES CHAS MNT 0.14 OHM 10% 1100W | Vizsgálat |
|
PFE5KR500E | Ohmite | RES CHAS MNT 0.5 OHM 10% 1105W | Vizsgálat |
|
PFE5KR180E | Ohmite | RES CHAS MNT 0.18 OHM 10% 1012W | Vizsgálat |
|
PFE5KR120E | Ohmite | RES CHAS MNT 0.12 OHM 10% 994W | Vizsgálat |
|
PFE5KR140E | Ohmite | RES CHAS MNT 0.14 OHM 10% 1100W | Vizsgálat |
|
PFE5KR220E | Ohmite | RES CHAS MNT 0.22 OHM 10% 1017W | Vizsgálat |
|
PFE5KR180 | Ohmite | RES CHAS MNT 0.18 OHM 10% 1012W | Vizsgálat |
|
PFE5KR370 | Ohmite | RES CHAS MNT 0.37 OHM 10% 925W | Vizsgálat |
|
PFE5KR330E | Ohmite | RES CHAS MNT 0.33 OHM 10% 962W | Vizsgálat |
|
PFE5KR160E | Ohmite | RES CHAS MNT 0.16 OHM 10% 973W | Vizsgálat |
|
PFE5KR500 | Ohmite | RES CHAS MNT 0.5 OHM 10% 1105W | Vizsgálat |
|
PFE5KR220 | Ohmite | RES CHAS MNT 0.22 OHM 10% 1017W | Vizsgálat |
|
PFE5KR370E | Ohmite | RES CHAS MNT 0.37 OHM 10% 925W | Vizsgálat |
|
PFE5KR300 | Ohmite | RES CHAS MNT 0.3 OHM 10% 975W | Vizsgálat |
|
PFE5KR120 | Ohmite | RES CHAS MNT 0.12 OHM 10% 994W | Vizsgálat |
|
PFE5KR300E | Ohmite | RES CHAS MNT 0.3 OHM 10% 975W | Vizsgálat |
|
PFE5KR600 | Ohmite | RES CHAS MNT 0.6 OHM 10% 1109W | Vizsgálat |
Latest News
- A Moels Micro Electronics új irodákat hozott létre Tajvanon, Kínában, hogy kibővítse az üzleti területet
- A Texas Instruments teljesítményét még meg kell növelni, és a két tárolóüzem új flash memória termékeket nyom be
- A SEF Semiconductor (ST) első negyedévi pénzügyi jelentése csökken, és az autók iránti kereslet lelassult
- A Texas Instruments teljesítményét még meg kell növelni, és a két tárolóüzem új flash memória termékeket nyom be
- Helyi érett chipmennyiség, Samsung Nand flash memória előállítási kapacitása a terhelés közelében
- Vishay elindítja a minilált csomagolást, a kis fényesség kis és tiszta zöld LED -jét
- Ansonmei induktív pozícióérzékelőt indított az ipari és szállítási piacra
- Ruisa elindítja a régi gyárat, hogy növelje az energiaeszközt, a földrengés enyhe kimenetet érint
- A mikrochip lehetővé teszi a TSMC termelési kapacitását és növeli az áremelkedéseket
- Ruisa elindította az új RA0 sorozat Ultra -low Power Entry -szintű MCU -t
- A Melexis egy teljes integrált induktor kapcsoló chipet indít
- Az X-PAB bemutatja a képérzékelő háttámlájának megvilágítási technológiáját a CMOS érzékelő teljesítményének javítása érdekében