PFE5KR250 er tilgjengelig nå!LYNTEAM-teknologi er strømforbindelsen for PFE5KR250, vi har aksjene for umiddelbar frakt og også tilgjengelig for lang tid.Vennligst send oss din kjøpsplan for PFE5KR250 via e-post, vi vil gi deg en best pris i henhold til planen din.
Kjøp PFE5KR250 med LYNTEAM, spar penger og tid.
Vår epost: [email protected]
PFE5KR250
- Delenummer:
- PFE5KR250
- Produsent:
- Ohmite
- Beskrivelse:
- RES CHAS MNT 0.25 OHM 10% 992W
- Lead Free Status:
- Inneholder bly / RoHS ikke-kompatibel
- Lager Antall:
- 54473 Pieces
- Leveringstid:
- 1-2 days
- Ledetid:
- 4-8 weeks
- Dataark:
- PFE5KR250.pdf
Introduksjon
spesifikasjoner
| Tilstand | New & Original, tested |
|---|---|
| Opprinnelsesland | Contact us |
| Merkingskode | Send by email |
| Toleranse: | ±10% |
| Temperaturkoeffisient: | ±300ppm/°C |
| Størrelse / Dimensjon: | - |
| Serie: | Powr-Rib®PFE |
| Motstand: | 250 mOhms |
| Strøm (Watts): | 992W |
| emballasje: | Bulk |
| Pakke / tilfelle: | Radial, Tubular |
| Driftstemperatur: | -55°C ~ 350°C |
| Monteringsfunksjon: | Brackets |
| Vannfølsomhetsnivå (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Lead Style: | Solder Lugs |
| Lead Free Status / RoHS Status: | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Høyde - sittende (maks): | - |
| Egenskaper: | - |
| Strykprosent: | - |
| Detaljert beskrivelse: | 250 mOhms ±10% 992W Wirewound Chassis Mount Resistor |
| sammensetning: | Wirewound |
| Belegg, Boligtype: | Ceramic |
| Email: | [email protected] |
Beslektede deler til PFE5KR250
| Bilde | Delenummer | produsenter | Beskrivelse | Utsikt |
|---|---|---|---|---|
 |
PFE5KR160 | Ohmite | RES CHAS MNT 0.16 OHM 10% 973W | Forespørsel |
|
PFE5KR330 | Ohmite | RES CHAS MNT 0.33 OHM 10% 962W | Forespørsel |
|
PFE5KR250E | Ohmite | RES CHAS MNT 0.25 OHM 10% 992W | Forespørsel |
|
PFE5KR140 | Ohmite | RES CHAS MNT 0.14 OHM 10% 1100W | Forespørsel |
|
PFE5KR500E | Ohmite | RES CHAS MNT 0.5 OHM 10% 1105W | Forespørsel |
|
PFE5KR180E | Ohmite | RES CHAS MNT 0.18 OHM 10% 1012W | Forespørsel |
|
PFE5KR120E | Ohmite | RES CHAS MNT 0.12 OHM 10% 994W | Forespørsel |
|
PFE5KR140E | Ohmite | RES CHAS MNT 0.14 OHM 10% 1100W | Forespørsel |
|
PFE5KR220E | Ohmite | RES CHAS MNT 0.22 OHM 10% 1017W | Forespørsel |
|
PFE5KR180 | Ohmite | RES CHAS MNT 0.18 OHM 10% 1012W | Forespørsel |
|
PFE5KR370 | Ohmite | RES CHAS MNT 0.37 OHM 10% 925W | Forespørsel |
|
PFE5KR330E | Ohmite | RES CHAS MNT 0.33 OHM 10% 962W | Forespørsel |
|
PFE5KR160E | Ohmite | RES CHAS MNT 0.16 OHM 10% 973W | Forespørsel |
|
PFE5KR500 | Ohmite | RES CHAS MNT 0.5 OHM 10% 1105W | Forespørsel |
|
PFE5KR220 | Ohmite | RES CHAS MNT 0.22 OHM 10% 1017W | Forespørsel |
|
PFE5KR370E | Ohmite | RES CHAS MNT 0.37 OHM 10% 925W | Forespørsel |
|
PFE5KR300 | Ohmite | RES CHAS MNT 0.3 OHM 10% 975W | Forespørsel |
|
PFE5KR120 | Ohmite | RES CHAS MNT 0.12 OHM 10% 994W | Forespørsel |
|
PFE5KR300E | Ohmite | RES CHAS MNT 0.3 OHM 10% 975W | Forespørsel |
|
PFE5KR600 | Ohmite | RES CHAS MNT 0.6 OHM 10% 1109W | Forespørsel |
Latest News
- Moels Micro Electronics har satt opp nye kontorer i Taiwan, Kina for å utvide forretningsområdet
- Ytelsen til Texas Instruments er fremdeles å bli styrket, og de to lagringsfabrikkene skyver nye flash -minneprodukter
- Finansiell rapport fra første kvartal for SEF Semiconductor (ST) avtar, og etterspørselen etter biler har avtatt
- Ytelsen til Texas Instruments er fremdeles å bli styrket, og de to lagringsfabrikkene skyver nye flash -minneprodukter
- Lokal moden brikkevolum, Samsung Nand Flash Memory Production Capacity nær belastning
- Vishay lanserer miniled emballasje høy lysstyrke liten blå og ren grønn LED
- Ansonmei lanserte en induktiv posisjonssensor for industri- og transportmarkedet
- Ruisa starter den gamle fabrikken for å øke kraftanordningen, jordskjelvet påvirker dramproduksjonen mildt
- Microchip muliggjør produksjonskapasiteten til TSMC og øker prisøkningen
- Ruisa lanserte den nye RA0 -serien Ultra -Low Power Entry -MCU -nivå MCU
- Melexis lanserer en full -integrert induktorbryterbrikke
- X-FAB introduserer bildesensor tilbake belysningsteknologi for å forbedre CMOS-sensorytelsen