Το VLF252012MT-1R0N είναι διαθέσιμο τώρα!Η τεχνολογία LYNTEAM είναι ο διανομέας αποθέματος για την VLF252012MT-1R0N, έχουμε τα αποθέματα για άμεση αποστολή και επίσης διαθέσιμο για μεγάλο χρονικό διάστημα.Στείλτε μας το σχέδιο αγοράς σας για το VLF252012MT-1R0N μέσω ηλεκτρονικού ταχυδρομείου, θα σας δώσουμε μια καλύτερη τιμή σύμφωνα με το σχέδιό σας.
Αγοράστε VLF252012MT-1R0N με LYNTEAM, αποθηκεύστε τα χρήματά σας και το χρόνο σας.
Το email μας: [email protected]
VLF252012MT-1R0N
- Αριθμός εξαρτήματος:
- VLF252012MT-1R0N
- Κατασκευαστής:
- TDK Corporation
- Περιγραφή:
- FIXED IND 1UH 2.47A 52 MOHM SMD
- Επικεφαλής ελεύθερη κατάσταση:
- Ο μόλυβδος ελεύθερος / συμβατός με RoHS
- Ποσότητα αποθέματος:
- 28353 Pieces
- Ωρα παράδοσης:
- 1-2 days
- Χρόνος παράδοσης:
- 4-8 weeks
- Φύλλο δεδομένων:
- VLF252012MT-1R0N.pdf
Εισαγωγή
ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ
| Κατάσταση | New & Original, tested |
|---|---|
| Χώρα προέλευσης | Contact us |
| Κώδικας σήμανσης | Send by email |
| Τύπος: | Wirewound |
| Ανοχή: | ±30% |
| Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή: | - |
| Μέγεθος / Διαστάσεις: | 0.098" L x 0.079" W (2.50mm x 2.00mm) |
| θωράκιση: | Shielded |
| Σειρά: | VLF-M |
| Ακροαματικότητα: | - |
| Q @ Συχν: | - |
| Συσκευασία: | Tape & Reel (TR) |
| Συσκευασία / υπόθεση: | 1008 (2520 Metric) |
| Αλλα ονόματα: | 445-15800-2 |
| Θερμοκρασία λειτουργίας: | -40°C ~ 105°C |
| τοποθέτηση Τύπος: | Surface Mount |
| Επίπεδο Ευαισθησίας Υγρασίας (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Υλικό - Πυρήνας: | Ferrite |
| Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Επαγωγική συχνότητα - Δοκιμή: | 1MHz |
| Επαγωγή: | 1µH |
| Ύψος - Καθήμενοι (Max): | 0.047" (1.20mm) |
| Συχνότητα - Αυτο Resonant: | - |
| Λεπτομερής περιγραφή: | 1µH Shielded Wirewound Inductor 2.47A 52 mOhm Max 1008 (2520 Metric) |
| Αντίσταση DC (DCR): | 52 mOhm Max |
| τρέχουσα Αξιολόγηση: | 2.47A |
| Τρέχουσες - Κορεσμός: | 1.3A |
| Email: | [email protected] |
Συναφών ανταλλακτικών για VLF252012MT-1R0N
Latest Ειδήσεις
- Το σχέδιο της Micron για την κατασκευή ενός εργοστασίου, NAND Flash Memory σε υψηλές τιμές ή συντήρηση
- Η απόδοση ADI μειώνεται, τα υποστρώματα χαλκού αλουμινίου έχουν αυξηθεί, η αποθήκευση της αρχικής αύξησης του εργοστασίου συντηρητικού παραγωγής συντηρητικού
- Το κύμα της νοημοσύνης στο αυτοκίνητο έρχεται και ο Aimus Oslang βοήθησε το Sagita Juguang να απελευθερώσει το MX Lidar
- Η παραγωγική ικανότητα HBM αποκλείεται, η μνήμη DRAM μπορεί να είναι σε σύντομο χρονικό διάστημα κατά το δεύτερο εξάμηνο του έτους
- Οι ιδρυτές τοίχου θα τελειώσουν, θα πρέπει να αυξηθούν ξανά το DRAM
- AI Κινητό τηλέφωνο και η ζήτηση επέκτασης PC, βελτίωση της παγκόσμιας βιομηχανίας παραγωγής ημιαγωγών
- Κατανοήστε τις ανάγκες των συστημάτων παρακολούθησης ADAS και καμπίνας για αισθητήρες εικόνας ασφαλείας δικτύου
- Φημολογείται ότι η Samsung και η SK Hynix σταμάτησαν το DDR3 και η προσφορά προώθησης αυξήθηκε κατά 20 %
- Η Melexis κυκλοφόρησε MLX90427: Έλεγχος γραμμής σε νέα επιλογή, ασφαλή, αποτελεσματική και οικονομική
- Η οικονομική έκθεση NXP και Ansonmei ανακοίνωσε και η τιμή των τιμών του χαλκού μεταδίδεται στη βιομηχανία IC
- Η Moels Micro Electronics έχει δημιουργήσει νέα γραφεία στην Ταϊβάν της Κίνας για την επέκταση της επιχειρηματικής επικράτειας
- Η απόδοση του Texas Instruments πρέπει ακόμα να ενισχυθεί και τα δύο εργοστάσια αποθήκευσης ωθούν νέα προϊόντα μνήμης flash