VLF252012MT-1R0N er tilgjengelig nå!LYNTEAM-teknologi er strømforbindelsen for VLF252012MT-1R0N, vi har aksjene for umiddelbar frakt og også tilgjengelig for lang tid.Vennligst send oss din kjøpsplan for VLF252012MT-1R0N via e-post, vi vil gi deg en best pris i henhold til planen din.
Kjøp VLF252012MT-1R0N med LYNTEAM, spar penger og tid.
Vår epost: [email protected]
VLF252012MT-1R0N
- Delenummer:
- VLF252012MT-1R0N
- Produsent:
- TDK Corporation
- Beskrivelse:
- FIXED IND 1UH 2.47A 52 MOHM SMD
- Lead Free Status:
- Blyfri / RoHS-kompatibel
- Lager Antall:
- 28353 Pieces
- Leveringstid:
- 1-2 days
- Ledetid:
- 4-8 weeks
- Dataark:
- VLF252012MT-1R0N.pdf
Introduksjon
spesifikasjoner
| Tilstand | New & Original, tested |
|---|---|
| Opprinnelsesland | Contact us |
| Merkingskode | Send by email |
| Type: | Wirewound |
| Toleranse: | ±30% |
| Leverandør Enhetspakke: | - |
| Størrelse / Dimensjon: | 0.098" L x 0.079" W (2.50mm x 2.00mm) |
| skjerming: | Shielded |
| Serie: | VLF-M |
| rangeringer: | - |
| Q @ Freq: | - |
| emballasje: | Tape & Reel (TR) |
| Pakke / tilfelle: | 1008 (2520 Metric) |
| Andre navn: | 445-15800-2 |
| Driftstemperatur: | -40°C ~ 105°C |
| Monteringstype: | Surface Mount |
| Vannfølsomhetsnivå (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Materiale - Kjerne: | Ferrite |
| Lead Free Status / RoHS Status: | Lead free / RoHS Compliant |
| Induktansfrekvens - Test: | 1MHz |
| induktans: | 1µH |
| Høyde - sittende (maks): | 0.047" (1.20mm) |
| Frekvens - Selvresonans: | - |
| Detaljert beskrivelse: | 1µH Shielded Wirewound Inductor 2.47A 52 mOhm Max 1008 (2520 Metric) |
| DC-motstand (DCR): | 52 mOhm Max |
| Nåværende vurdering: | 2.47A |
| Nåværende - Metning: | 1.3A |
| Email: | [email protected] |
Beslektede deler til VLF252012MT-1R0N
Latest News
- Arm dukket opp i Computex 2024: Det forventes at mer enn 100 milliarder armenheter kan brukes til AI innen slutten av 2025
- Qorvo lanserte bransjens enestående høye 5G MMIMO -preliminarier
- Simuleringssyklusinventarbunn, AI driver Flash Memory -etterspørselen fortsetter
- Microns plan om å bygge en fabrikk, NAND flashminne til høye priser eller vedlikehold
- ADI -ytelsen er redusert, kobberfolieunderlag har steget, lagring av original fabrikkøkningsproduksjon konservativ
- Bølgen av intelligens i bilen kommer, og Aimus Oslang hjalp Sagita Juguang med å frigjøre MX Lidar
- HBM -produksjonskapasitet er ekskludert, dramminnet kan være mangelvare i andre halvår
- Wall -grunnleggere vil ende, HBM eller føre til at dramen øker igjen
- AI mobiltelefon- og PC -utvidelsesbehov, Global halvlederproduksjonsindustri forbedring
- Forstå behovene til ADAS og hytteovervåkningssystemer for bildesikkerhetssensorer
- Det ryktes at Samsung og SK Hynix stoppet DDR3, og promoteringssitatet steg med 20 %
- Melexis utgitt MLX90427: Linjekontroll til nytt valg, trygg, effektiv og økonomisk