Το THGBMHG6C1LBAIL είναι διαθέσιμο τώρα!Η τεχνολογία LYNTEAM είναι ο διανομέας αποθέματος για την THGBMHG6C1LBAIL, έχουμε τα αποθέματα για άμεση αποστολή και επίσης διαθέσιμο για μεγάλο χρονικό διάστημα.Στείλτε μας το σχέδιο αγοράς σας για το THGBMHG6C1LBAIL μέσω ηλεκτρονικού ταχυδρομείου, θα σας δώσουμε μια καλύτερη τιμή σύμφωνα με το σχέδιό σας.
Αγοράστε THGBMHG6C1LBAIL με LYNTEAM, αποθηκεύστε τα χρήματά σας και το χρόνο σας.
Το email μας: [email protected]
THGBMHG6C1LBAIL
- Αριθμός εξαρτήματος:
- THGBMHG6C1LBAIL
- Κατασκευαστής:
- Toshiba Memory America, Inc.
- Περιγραφή:
- IC FLASH 64G MMC 52MHZ 153WFBGA
- Επικεφαλής ελεύθερη κατάσταση:
- Ο μόλυβδος ελεύθερος / συμβατός με RoHS
- Ποσότητα αποθέματος:
- 53897 Pieces
- Ωρα παράδοσης:
- 1-2 days
- Χρόνος παράδοσης:
- 4-8 weeks
- Φύλλο δεδομένων:
- 1.THGBMHG6C1LBAIL.pdf2.THGBMHG6C1LBAIL.pdf
Εισαγωγή
ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ
| Κατάσταση | New & Original, tested |
|---|---|
| Χώρα προέλευσης | Contact us |
| Κώδικας σήμανσης | Send by email |
| Γράψτε χρόνο κύκλου - Word, Page: | - |
| Τάσης - Προμήθεια: | 2.7 V ~ 3.6 V |
| Τεχνολογία: | FLASH - NAND |
| Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή: | 153-WFBGA (11.5x13) |
| Σειρά: | e•MMC™ |
| Συσκευασία: | Tray |
| Συσκευασία / υπόθεση: | 153-WFBGA |
| Αλλα ονόματα: | THGBMHG6C1LBAILALL THGBMHG6C1LBAILH2H THGBMHG6C1LBAILH2L THGBMHG6C1LBAILHLL THGBMHG6C1LBAILJ2H THGBMHG6C1LBAILJ2L THGBMHG6C1LBAILJLH THGBMHG6C1LBAILJLL THGBMHG6C1LBAILLLL THGBMHG6C1LBAILYGJ |
| Θερμοκρασία λειτουργίας: | -25°C ~ 85°C (TA) |
| τοποθέτηση Τύπος: | Surface Mount |
| Επίπεδο Ευαισθησίας Υγρασίας (MSL): | 3 (168 Hours) |
| Τύπος μνήμης: | Non-Volatile |
| Μέγεθος μνήμης: | 64Gb (8G x 8) |
| Διασύνδεση μνήμης: | MMC |
| Μορφή μνήμης: | FLASH |
| Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Λεπτομερής περιγραφή: | FLASH - NAND Memory IC 64Gb (8G x 8) MMC 52MHz 153-WFBGA (11.5x13) |
| Συχνότητα ρολογιού: | 52MHz |
| Email: | [email protected] |
Συναφών ανταλλακτικών για THGBMHG6C1LBAIL
Latest Ειδήσεις
- Η χρηματοοικονομική έκθεση του πρώτου τριμήνου του SEF Semiconductor (ST) μειώνεται και η ζήτηση για αυτοκίνητα έχει επιβραδυνθεί
- Η απόδοση του Texas Instruments πρέπει ακόμα να ενισχυθεί και τα δύο εργοστάσια αποθήκευσης ωθούν νέα προϊόντα μνήμης flash
- Τοπικός ώριμος όγκος τσιπ, Samsung NAND Flash Memory παραγωγική παραγωγική ικανότητα κοντά στο φορτίο
- Ο Vishay ξεκινά τη Miniled Packaging High Brightness Small Blue και Pure Green LED
- Η Ansonmei ξεκίνησε έναν επαγωγικό αισθητήρα θέσης για την αγορά βιομηχανικής και μεταφοράς
- Η Ruisa ξεκινά το παλιό εργοστάσιο για να αυξήσει τη συσκευή ισχύος, ο σεισμός επηρεάζει την παραγωγή DRAM ήπιο
- Το microchip επιτρέπει την παραγωγική ικανότητα του TSMC και αυξάνει τις αυξήσεις των τιμών
- Η Ruisa ξεκίνησε το νέο RA0 Series Ultra -Low Power Entry -Level MCU
- Η Melexis εγκαινιάζει ένα πλήρες τσιπ διακόπτη επαγωγέα
- Το X-FAB εισάγει τεχνολογία φωτισμού αισθητήρα εικόνας για την ενίσχυση της απόδοσης του αισθητήρα CMOS
- Το μεγάλο εργοστάσιο τσιπ επηρεάστηκε από τον σεισμό: η TSMC σταμάτησε να λειτουργεί επειγόντως, επιδεινώνοντας την παροχή GPU σε σύντομο χρονικό διάστημα;
- Η μνήμη Flash Nand συνεχίζεται, το MCU Destocking Bottom είναι σωστό