THGBMHG6C1LBAIL พร้อมใช้งานแล้ว!LYNTEAM Technology เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงน่องสำหรับ THGBMHG6C1LBAIL เรามีสต็อกสำหรับการจัดส่งทันทีและมีให้สำหรับการจัดหาเป็นเวลานานกรุณาส่งแผนการซื้อของคุณสำหรับ THGBMHG6C1LBAIL ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ซื้อ THGBMHG6C1LBAIL ด้วย LYNTEAM ประหยัดเงินและเวลาของคุณ
อีเมลของเรา: [email protected]
THGBMHG6C1LBAIL
- รุ่นผลิตภัณฑ์:
- THGBMHG6C1LBAIL
- ผู้ผลิต:
- Toshiba Memory America, Inc.
- ลักษณะ:
- IC FLASH 64G MMC 52MHZ 153WFBGA
- สถานะตะกั่วฟรี:
- ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
- ปริมาณสต็อค:
- 53897 Pieces
- เวลาจัดส่ง:
- 1-2 days
- เวลานำ:
- 4-8 weeks
- แผ่นข้อมูล:
- 1.THGBMHG6C1LBAIL.pdf2.THGBMHG6C1LBAIL.pdf
บทนำ
ขนาด
| เงื่อนไข | New & Original, tested |
|---|---|
| ประเทศต้นกำเนิด | Contact us |
| รหัสการทำเครื่องหมาย | Send by email |
| เขียนวัฏจักรเวลา - คำ, หน้า: | - |
| แรงดันไฟฟ้า - อุปทาน: | 2.7 V ~ 3.6 V |
| เทคโนโลยี: | FLASH - NAND |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ: | 153-WFBGA (11.5x13) |
| ชุด: | e•MMC™ |
| บรรจุภัณฑ์: | Tray |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์: | 153-WFBGA |
| ชื่ออื่น: | THGBMHG6C1LBAILALL THGBMHG6C1LBAILH2H THGBMHG6C1LBAILH2L THGBMHG6C1LBAILHLL THGBMHG6C1LBAILJ2H THGBMHG6C1LBAILJ2L THGBMHG6C1LBAILJLH THGBMHG6C1LBAILJLL THGBMHG6C1LBAILLLL THGBMHG6C1LBAILYGJ |
| อุณหภูมิในการทำงาน: | -25°C ~ 85°C (TA) |
| ประเภทการติดตั้ง: | Surface Mount |
| ระดับความไวของความชื้น (MSL): | 3 (168 Hours) |
| ประเภทหน่วยความจำ: | Non-Volatile |
| ขนาดหน่วยความจำ: | 64Gb (8G x 8) |
| อินเตอร์เฟซหน่วยความจำ: | MMC |
| รูปแบบหน่วยความจำ: | FLASH |
| สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| คำอธิบายโดยละเอียด: | FLASH - NAND Memory IC 64Gb (8G x 8) MMC 52MHz 153-WFBGA (11.5x13) |
| ความถี่นาฬิกา: | 52MHz |
| Email: | [email protected] |
ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ THGBMHG6C1LBAIL
ข่าว Latest
- รายงานทางการเงินในไตรมาสแรกของ SEF Semiconductor (ST) ลดลงและความต้องการรถยนต์ก็ชะลอตัวลง
- ประสิทธิภาพของ Texas Instruments ยังคงเพิ่มขึ้นและโรงงานจัดเก็บข้อมูลสองแห่งผลักดันผลิตภัณฑ์หน่วยความจำแฟลชใหม่
- ปริมาณชิปสำหรับผู้ใหญ่ในท้องถิ่นความสามารถในการผลิตหน่วยความจำ Samsung Nand Flash ใกล้โหลด
- Vishay เปิดตัวบรรจุภัณฑ์ขนาดเล็กความสว่างสูงสีน้ำเงินและสีเขียวบริสุทธิ์บริสุทธิ์
- Ansonmei เปิดตัวเซ็นเซอร์ตำแหน่งอุปนัยสำหรับตลาดอุตสาหกรรมและการขนส่ง
- Ruisa เริ่มต้นโรงงานเก่าเพื่อเพิ่มอุปกรณ์พลังงานแผ่นดินไหวส่งผลกระทบต่อการส่งออก DRAM เล็กน้อย
- Microchip ช่วยให้กำลังการผลิตของ TSMC และเพิ่มราคาเพิ่มขึ้น
- Ruisa เปิดตัว RA0 ซีรี่ส์ใหม่ Ultra -low Power Entry -level MCU
- Melexis เปิดตัวชิปสวิตช์ตัวเหนี่ยวนำแบบครบวงจร
- X-FAB แนะนำเทคโนโลยีการส่องสว่างเซ็นเซอร์ด้านหลังเพื่อเพิ่มประสิทธิภาพเซ็นเซอร์ CMOS
- โรงงานชิปขนาดใหญ่ได้รับผลกระทบจากแผ่นดินไหว: TSMC หยุดทำงานอย่างเร่งด่วนทำให้การจัดหา GPU รุนแรงขึ้นในระยะสั้นหรือไม่?
- หน่วยความจำแฟลช NAND ยังคงดำเนินต่อไป MCU Destocking Bottom ถูกต้อง